جزئیات اولیه از فرایند ۱.۴ نانومتری سامسونگ فاش شد

سامسونگ اعلام کرده است که فناوری فرایند 1.4 نانومتری آینده‌ی خود را با افزایش تعداد نانوصفحات از سه به چهار بهبود خواهد بخشید.

جئونگ گی‌تائه، معاون رئیس شرکت سامسونگ فاندری (Samsung Foundry)، می‌گوید که فناوری فرایند 1.4 نانومتری امکانات زیادی را در‌زمینه‌ی عملکرد و مصرف انرژی فراهم خواهد کرد.

به‌نوشته‌ی تامزهاردور، سامسونگ اولین شرکتی بود که در نیمه سال 2022 فرایندی را معرفی کرد که بر ترانزیستورهای نانوصفحات Gate-All-Around (GAA) تکیه دارد. این فناوری با نام SF3E یا gate-all-around ear 3 نانومتری یا 3GAE نیز شناخته می‌شود. این شرکت از فرایند 1.4 نانومتری برای تولید انواع تراشه‌ها استفاده می‌کند؛ اما اعتقاد بر این است که استفاده از این نود به تراشه‌های کوچک مانند تراشه‌های استخراج ارزهای رمزنگاری‌شده محدود است.

سال آینده، Samsung (South Korean multinational conglomerate) قصد دارد فناوری SF3 خود را معرفی کند که قرار است در محصولات گسترده‌تری استفاده شود. در سال 2025 نیز، سامسونگ می‌خواهد فناوری SF3P بهبودیافته خود را عرضه کند که با در‌نظر‌گرفتن واحدهای پردازشی مرکز داده (Data Center) مانند پردازنده‌ها و کارت‌های گرافیکی طراحی شده است.

در همان سال (2025)، سامسونگ قصد دارد فرایند ساخت SF2 (کلاس 2 نانومتر) خود را نیز معرفی کند. این فرایند نه‌تنها بر ترانزیستورهای GAA (Gate-All-Around) تکیه خواهد کرد؛ بلکه از سیستم تغذیه برق از پشت استفاده خواهد کرد که مزایای زیادی درزمینه‌ی تراکم ترانزیستورها و تحویل برق به‌ارمغان می‌آورد.

احتمالاً بزرگ‌ترین تغییر در نودهای تولیدی سامسونگ پس از معرفی SF3E مبتنی‌بر GAA در سال 2027 رخ خواهد داد؛ زمانی‌که فرایند 1.4 نانومتری سامسونگ با افزایش تعداد نانوصفحات از سه به چهار، یک نانوصفحه اضافه به‌دست خواهد آورد.

افزایش تعداد نانوصفحات در هر ترانزیستور می‌تواند جریان رانش را افزایش دهد و عملکرد را بهبود بخشد. نانوصفحات بیشتر به جریان بیشتری اجازه می‌دهند که ازطریق ترانزیستور عبور کند و توانایی سوییچینگ و سرعت عملکرد آن را بهبود می‌بخشد. همچنین، نانوصفحات بیشتر می‌توانند به کنترل بهتر جریان عبوری منجر شوند و به کاهش جریان نشتی کمک کنند و در‌نتیجه، مصرف انرژی را کاهش دهند.

علاوه‌بر‌این، کنترل بهتر جریان عبوری بدین‌معنی است که ترانزیستورها کمترین حرارت را تولید می‌کنند که باعث افزایش کارایی انرژی می‌شود. هر دو شرکت اینتل و TSMC قصد دارند تا در فناوری‌های فرایندی 20A و N2 (کلاس 2 نانومتر) خود که در سال‌های 2024 و 2025 به بهره‌برداری می‌رسند، از ترانزیستورهای GAA استفاده کنند. در همان زمان، سامسونگ با استفاده از ترانزیستورهای Gate-All-Around تجربه زیادی کسب خواهد کرد که ممکن است برای کارخانه مفید باشد.

دیدگاه‌های شما کاربران تک‌ناک درباره‌ی فناوری فرایند ۱.۴ نانومتری سامسونگ چیست؟