سامسونگ آماده رونمایی نسل دهم حافظه V-NAND با بیش از ۴۰۰ لایه است که برای تأمین انرژی SSDهای آینده PCIe 5.0 و 6.0 طراحی شده است.
به گزارش تکناک، سامسونگ قصد دارد نسل دهم فناوری حافظه V-NAND خود را با بیش از ۴۰۰ لایه به‌زودی در کنفرانس ISSCC 2025 معرفی کند. این حافظه جدید که به‌عنوان نسل بعدی NAND شناخته می‌شود، قابلیت پشتیبانی از SSDهای بسیار سریع PCIe 5.0 و PCIe 6.0 را دارد و انتظار می‌رود به‌عنوان یکی از فناوری‌های ذخیره‌سازی پیشرفته در صنعت حافظه معرفی شود.
فهرست مطالب
ویژگی‌های نسل دهم V-NAND سامسونگ
تامزهاردور می‌نویسد نسل دهم V-NAND سامسونگ که از معماری TLC (سلول سه‌سطحی یا سه بیت در هر سلول) استفاده می‌کند، ظرفیت 1 ترابایت (۱۲۸ گیگابایت) برای هر دای دارد و چگالی ذخیره‌سازی آن به ۲۸ گیگابیت بر میلی‌مترمربع می‌رسد. این میزان تنها کمی کمتر از چگالی ذخیره‌سازی ۲۸/۵ گیگابیت بر میلی‌مترمربع حافظه‌های 3D QLC V-NAND سامسونگ است که هم‌اکنون به‌عنوان حافظه غیراپراتیوی فشرده‌ترین در جهان شناخته می‌شود.
حافظه جدید سامسونگ از سرعت رابط ۵/۶ گیگابیت‌برثانیه برخوردار است که در مقایسه با سرعت ۳/۶ گیگابیت‌برثانیه حافظه‌های YMTC با معماری Xtacking، بسیار سریع‌تر است. این سرعت چشمگیر به کاربران امکان می‌دهد که با استفاده از چندین دستگاه از این حافظه‌ها، حتی بتوانند رابط PCIe 5.0 x4 را به‌طور کامل اشباع کنند. به عبارت دیگر، ده دستگاه از این نوع حافظه خواهند توانست رابط PCIe 4.0 x4 را اشباع کنند و بیست دستگاه می‌توانند یک رابط PCIe 5.0 x4 فوق‌سریع را به‌طور کامل بارگذاری کنند.
ظرفیت ذخیره‌سازی و پیکربندی‌های مختلف
سامسونگ اعلام کرده است که چیپ‌های NAND نسل جدید معمولاً هشت یا شانزده دای NAND در هر بسته خواهند داشت. این یعنی بسته‌های ۱۶ دای می‌توانند تا ۲ ترابایت فضای ذخیره‌سازی ارائه دهند و چهار بسته از این نوع روی یک SSD یک‌طرفه امکان ذخیره‌سازی ۸ ترابایت را فراهم خواهند کرد. همچنین، درصورت استفاده از طراحی دوطرفه M.2 2280، این ظرفیت می‌تواند تا ۱۶ ترابایت نیز افزایش یابد. شایان ذکر است که سامسونگ در سال‌های اخیر ترجیح داده است طراحی‌های یک‌طرفه را در تولید SSDهای خود به کار گیرد.
ورود حافظه‌های نسل دهم V-NAND به بازار
در‌حالی‌که سامسونگ هنوز درایوهای حالت جامد PCIe 5.0 کامل را وارد بازار نکرده و تنها مدل‌هایی مانند PCIe 5.0 x2 / PCIe 4.0 x4 990 Evo و 990 Evo Plus را عرضه کرده است، پیش‌بینی می‌شود که این شرکت در سال ۲۰۲۵ تولید انبوه حافظه‌های نسل دهم V-NAND را آغاز کند. هنوز مشخص نیست که این حافظه‌ها چه زمانی به SSDهای سامسونگ وارد خواهند شد؛ ولی انتظار می‌رود که در آینده نزدیک، محصولات متنوعی از‌جمله درایوهای USB، کارت‌های حافظه، SSDها و حتی تلفن‌های هوشمند از این حافظه‌های جدید استفاده کنند.
تأثیر این فناوری بر آینده حافظه‌های SSD
نسل دهم V-NAND سامسونگ با سرعت رابط درخورتوجه خود، می‌تواند به بهبود عملکرد و سرعت درایوهای SSD بسیار کمک کند. در‌حالی‌که سامسونگ برای توسعه این فناوری چشم‌انداز گسترده‌ای دارد، این شرکت به‌طور دقیق اعلام نکرده است که این حافظه‌های جدید در چه زمانی به‌طور رسمی وارد بازار مصرف خواهند شد.
با توجه به قابلیت‌های این فناوری و توانایی آن در پشتیبانی از SSDهای PCIe 5.0 و PCIe 6.0، به نظر می‌رسد که سامسونگ در حال آماده‌سازی برای معرفی نسل جدیدی از حافظه‌های سریع و پیشرفته است که می‌توانند در آینده نزدیک استانداردهای جدیدی را در صنعت حافظه‌های ذخیره‌سازی رقم بزنند.
روی‌هم‌رفته، باید گفت که حافظه‌های نسل دهم V-NAND سامسونگ با ویژگی‌های فنی برجسته خود، می‌توانند نقش مهمی در تحول عملکرد درایوهای SSD ایفا و موج جدیدی از پیشرفت در صنعت ذخیره‌سازی دیجیتال ایجاد کنند. اگر این فناوری به‌طور موفقیت‌آمیز در محصولات مصرفی پیاده‌سازی شود، انتظار می‌رود که بر عملکرد و سرعت دستگاه‌های دیجیتال تأثیر چشمگیری بگذارد.
