شرکت سامسونگ Reportedly تیمی تخصصی برای توسعه تراشه‌های ۱ نانومتری تشکیل داده و هدف‌گذاری کرده است که تولید انبوه این تراشه‌ها را تا سال ۲۰۲۹ آغاز کند.
به گزارش تکناک، سامسونگ اخیراً گزارش داده است که تیمی تخصصی برای توسعه تراشه‌های ۱ نانومتری تشکیل داده است. هدف این شرکت برای تولید انبوه این تراشه‌ها در سال ۲۰۲۹ تعیین شده است. این پیشرفت درحالی است که سامسونگ مشغول کار روی فرایند ۲ نانومتری GAA خود است که طبق گفته‌های کارشناسان، با پیشرفت درخورتوجهی همراه بوده است. با‌این‌حال، این شرکت در تلاش است تا از محدودیت‌های موجود در توسعه تراشه‌های نیمه‌هادی عبور و نسخه‌ای از فرایند ۱ نانومتری خود را معرفی کند.
گزارش‌های جدید حاکی از آن است که سامسونگ با هدف عبور از مرزهای فناوری تراشه‌های نیمه‌هادی، تصمیم گرفته است تیم تحقیقاتی تشکیل دهد تا بتواند این فرایند را به مرحله اجرایی برساند. با‌این‌حال، باید گفت که این فناوری جدید ممکن است زمان‌بر باشد و برای دیدن نتیجه نهایی آن، به احتمال زیاد باید تا سال ۲۰۲۹ صبر کرد.
این تیم جدید در حال تلاش برای توسعه فرایند ۱ نانومتری است که به‌طور موقت به نام «فرایند نیمه‌هادی رؤیایی» شناخته می‌شود. برای تحقق این هدف، سامسونگ نیازمند تجهیزات EUV با NA بالا خواهد بود. غول فناوری کره‌ای هنوز گزارشی مبنی‌بر خرید این تجهیزات منتشر نکرده است.
Wccftech می‌نویسد درحالی‌که سامسونگ در حال تولید تراشه‌های ۲ نانومتری خود است، گفته می‌شود که تولید آزمایشی این فناوری با بازدهی ۳۰ درصدی همراه بوده است که در مقایسه با فرایند ۳ نانومتری GAA پیشرفت چشمگیری به حساب می‌آید. این در حالی است که رقبا همچون TSMC نیز در حال پیشرفت در این زمینه هستند.
غول نیمه‌هادی تایوانی اخیراً وارد عرصه توسعه تراشه‌های زیر ۲ نانومتر شده و در اوایل آوریل ۲۰۲۵ سفارش ویفرهای ۲ نانومتری را پذیرفته است. این در حالی است که سامسونگ در کنار پیشرفت‌های خود در فرایند ۲ نانومتر GAA، به توسعه گره ۱ نانومتری نیز توجه کرده است. پیش‌بینی می‌شود که این پیشرفت‌های سامسونگ بتواند آن را از رقبا جلوتر بیندازد.
جالب است که پیش‌تر گزارش‌هایی منتشر شده بود مبنی‌بر اینکه سامسونگ فرایند ۱/۴ نانومتری خود را لغو کرده است که احتمالاً این تصمیم به‌دلیل تمرکز منابع و نیروی کار بر توسعه فناوری ۲ نانومتر بوده است؛ هرچند دلایل دقیق این اقدام هنوز مشخص نیست. سامسونگ حالا با تمرکز روی فرایند ۱ نانومتری، در پی شکستن محدودیت‌های موجود در صنعت تراشه‌ها است.
اگر سامسونگ موفق شود اولین ویفر ۱ نانومتری را تولید کند، این فناوری جدید می‌تواند انقلابی در صنعت تراشه‌ها ایجاد کند؛ اما به‌طور کلی ممکن است تولید انبوه این تراشه‌ها مدت‌زمانی طول بکشد و هدف تولید انبوه برای سال ۲۰۲۹ تعیین شده است. در طول این مدت، سامسونگ ممکن است با مشکلات تولیدی روبه‌رو شود؛ ولی به‌روزرسانی‌های آینده این شرکت می‌تواند اطلاعات بیشتری درباره روند پیشرفت این پروژه ارائه دهد.
