فناوری ۲ نانومتری GAA سامسونگ در مقایسه با نسل ۳ نانومتری مصرف انرژی را کاهش و حجم ویفرهای تولیدی و بازدهی را افزایش چشمگیری میدهد.
به گزارش سرویس اخبار سختافزار تکناک، سامسونگ امروز اطلاعات جدیدی درباره فناوری پیشرفته ۲ نانومتری GAA خود منتشر کرد. طبق این گزارش، عملکرد این فناوری در مقایسه با نسل ۳ نانومتری GAA تا ۵ درصد افزایش یافته و بهرهوری انرژی آن تا ۸ درصد بهبود یافته است. مساحت تراشهها نیز ۵ درصد کاهش یافته و بازدهی تولید به ۵۰ تا ۶۰ درصد رسیده است که در مقایسه با گزارشهای پیشین رشد درخورتوجهی نشان میدهد.
انتظار میرود چیپست اگزینوس ۲۶۰۰ نخستین محصولی باشد که از لیتوگرافی ۲ نانومتری GAA استفاده میکند. سامسونگ با جذب مشتریان جدید، قصد دارد سهم خود در بازار تراشهها را افزایش دهد. براساس گزارشهای فروش سهماهه دوم، سهم سامسونگ در بازار ریختهگری تراشهها ۷٫۳ درصد است؛ درحالیکه TSMC با ۷۰٫۲ درصد، همچنان بر بازار جهانی تسلط دارد. بااینحال، کسبوکار نیمهرسانای سامسونگ هدفگذاری کرده که تا سال ۲۰۲۷ به سوددهی برسد و فرایند ۲ نانومتری GAA احتمالاً پایه دستیابی به این هدف خواهد بود.
Wccftech مینویسد که افزایش بازدهی تولید، به سامسونگ کمک میکند تا حجم ویفرهای تولیدی خود را افزایش دهد؛ چراکه پیشتر تولید ماهانه اگزینوس ۲۶۰۰ تنها ۱۵ هزار واحد بود. علاوهبراین، غول فناوری کرهای سفارشهایی برای فناوری ۲ نانومتری GAA از دو تولیدکننده بزرگ تجهیزات استخراج رمزارز، MicroBT و Canaan، دریافت کرده است. این سفارشها معادل ۱۰ درصد از کل ظرفیت تولید سامسونگ هستند. همچنین، این شرکت قرارداد چندمیلیارددلاری با تسلا به امضا رسانده است.
