شرکت‌های TSMC و اینتل و سامسونگ فاندری در حال آماده‌شدن برای رقابت شدید به‌منظور تولید تراشهها با لیتوگرافی ۲ نانومتری در سال آینده هستند.
به گزارش تکناک، در دنیای نیمه‌رساناها، رقابت فشرده‌ای در حال شکل‌گیری است. شرکت‌های پیشرفته در این صنعت، از‌جمله TSMC و اینتل و سامسونگ فاندری، آماده هستند تا تولید انبوه تراشهها با لیتوگرافی ۲ نانومتری را از سال آینده آغاز کنند. این اتفاق در حالی رخ می‌دهد که تولید تراشه‌های ۳ نانومتری به سال سوم خود وارد می‌شود. آیفون ۱۵ پرو و آیفون ۱۵ پرو مکس، اولین گوشی‌های مجهز به تراشه‌های ۳ نانومتری، از پردازنده A17 Pro ساخته‌شده با لیتوگرافی ۳ نانومتری TSMC بهره می‌بردند.
فهرست مطالب
پیشتازی TSMC در تولید تراشه‌های پیشرفته
TSMC، بزرگ‌ترین کارخانه قراردادساز تراشه در جهان، برنامه‌های گسترده‌ای برای لیتوگرافی ۲ نانومتری دارد. این شرکت قصد دارد از نسل سوم فناوری ۳ نانومتری خود (N3P) برای تولید پردازنده‌های سری A19 اپل در سال آینده استفاده کند. با وجود شایعات اولیه درباره استفاده از لیتوگرافی ۲ نانومتری برای این سری، تراشه‌های آیفون ۱۷ همچنان با فناوری ۳ نانومتری تولید خواهند شد.
به نقل از فون‌آرنا، اپل تصمیم گرفته است که برای صرفه‌جویی در هزینه‌ها، تا سال ۲۰۲۶ منتظر بماند و فناوری ۲ نانومتری را برای تراشه‌های A20 و A20 Pro در سری آیفون ۱۸ به کار گیرد. هزینه زیاد ویفرهای سیلیکونی در سال اول استفاده از فناوری جدید، دلیل اصلی این تأخیر عنوان شده است.
علاوه‌بر اپل، شرکت‌های بزرگی مانند AMD، انویدیا، مدیاتک و کوالکام برای تولید تراشه‌های ۲ نانومتری با TSMC قرارداد بسته‌اند. این همکاری‌ها برتری TSMC بر اینتل و سامسونگ فاندری در دریافت سفارش‌های لیتوگرافی ۲ نانومتری را تقویت کرده است.
چالش‌های سامسونگ در بازدهی تولید
در سال‌های اخیر، سامسونگ فاندری با مشکلات جدی در بازدهی تولید تراشه‌های ۴ و ۳ و ۲ نانومتری روبه‌رو بوده است. این مشکلات حتی باعث شد کوالکام تولید تراشه اسنپدراگون ۸ نسل ۱ خود را از سامسونگ به TSMC منتقل کند. با‌این‌حال، سامسونگ توانست بازدهی خود در لیتوگرافی ۴ نانومتری را به ۷۰ درصد برساند.
در لیتوگرافی ۳ نانومتری، سامسونگ همچنان با مشکلاتی مواجه است که موجب تأخیر در تولید تراشه اگزینوس ۲۵۰۰ شده است. این مشکلات ممکن است سامسونگ را به استفاده از تراشه اسنپدراگون ۸ الیت در تمامی گوشی‌های سری گلکسی S25 مجبور کند؛ زیرا تولید تراشه اگزینوس با هزینه‌های اضافی همراه خواهد بود.
ورود Rapidus ژاپن به رقابت
شرکت Rapidus ژاپن با حمایت مالی دولت این کشور و همکاری با ایالات متحده، قصد دارد با استفاده از فناوری IBM تراشه‌های ۲ نانومتری تولید کند. این شرکت می‌خواهد در ابتدا بر تولید تراشه‌های سفارشی و سفارش‌های کوچک تمرکز کند و سودآوری از تولید انبوه را در اولویت قرار ندهد. فناوری Gate-All-Around (GAA) که IBM توسعه داده است، به Rapidus امکان تولید تراشه‌هایی قدرتمندتر و بهینه‌تر ازنظر مصرف انرژی را می‌دهد.
اینتل در میانه رقابت و مشکلات داخلی
اینتل نیز همچنان در رقابت لیتوگرافی ۲ نانومتری حضور دارد. این شرکت که تلاش می‌کند با تجارت تولید قراردادی خود به موفقیت برسد، امیدوار است تا سال ۲۰۲۵ با فناوری 18A (۱/۸ نانومتری) از TSMC و سامسونگ پیشی بگیرد. این هدف بخشی از برنامه مدیرعامل سابق، پت گلسینگر، محسوب می‌شد که اعلام کرده بود اینتل دوباره به جایگاه برتر در این صنعت بازخواهد گشت.
