سامسونگ تولید انبوه تراشههای حافظه V-NAND نسل نهم خود را آغاز کرد. این تراشهها با دانسیت 800 لایه، عملکرد و بهرهوری انرژی را افزایش میدهند.
بهگزارش تکناک، سامسونگ تولید انبوه نسل نهم تراشههای حافظه عمودی سهسطحی (TLC) V-NAND خود را برای درایوهای حالت جامد پرظرفیت و با عملکرد قدرتمند آغاز کرده است.
تراشههای جدید با ابعاد کوچکتر و افزایش تراکم ۵۰ درصدی درمقایسهبا نسل قبلی حافظه NAND همراه هستند.
نئووین مینویسد که علاوهبر اندازه کوچکتر، حافظه V-NAND جدید سامسونگ چندین فناوری نوآورانه را در خود جای داده است. سامسونگ در وبلاگ رسمیاش اعلام کرده است که از فناوریهای جلوگیری از تداخل سلولی و افزایش طول عمر سلول برای دوام و کارایی بیشتر حافظه استفاده میکند. همچنین، این شرکت برای بهبود بهرهوری تولید از فناوری حکاکی سوراخ کانال استفاده کرده است.
فناوری حکاکی سوراخ کانال با روی هم چیدن لایههای قالب، مسیرهای عبور الکترون را ایجاد میکند و حداکثر بهرهوری تولید را بهارمغان میآورد؛ زیرا امکان حفاری همزمان بیشترین تعداد لایههای سلولی در ساختار دولایهای را فراهم میکند. با افزایش تعداد لایههای سلولی، توانایی نفوذ به سلولهای بیشتر ضروری میشود که به تکنیکهای حکاکی پیچیدهتری نیاز دارد.
نسل نهم حافظه V-NAND سامسونگ از رابط کاربری جدید NAND flash با نام Toggle 5.1 استفاده میکند که سرعت انتقال اطلاعات ورودی و خروجی را تا ۳۳ درصد بهبود میبخشد و آن را به ۳/۲ گیگابیتبرثانیه میرساند. سامسونگ اعلام کرده است که قصد دارد از تراشههای حافظه جدید و این رابط کاربری برای درایوهای حالت جامد PCIe 5.0 با کارایی فراوان استفاده کند. درحالحاضر، تنها درایو حالت جامد PCIe 5.0 سامسونگ، مدل اقتصادی 990 EVO است.
پیشرفتهای فناورانه در حافظه V-NAND جدید سامسونگ باعث کاهش 10 درصدی مصرف انرژی شده است. درحالحاضر، سامسونگ حافظه V-NAND سهسطحی (TLC) را تولید میکند و ساخت حافظه V-NAND چهارسطحی (QLC) در نیمه دوم سال ۲۰۲۴ آغاز خواهد شد. سامسونگ ازطریق جدیدترین حافظه V-NAND خود، همچنان به تعیین روند بازار درایوهای حالت جامد (SSD) با کارایی قدرتمند و تراکم زیاد ادامه خواهد داد که نیازهای نسل آینده هوش مصنوعی را برآورده میکند.
برای مطالعه بیشتر درباره نسل نهم حافظه V-NAND سامسونگ، به وبسایت Samsung Newsroom مراجعه کنید.
