حافظه هوش مصنوعی AIN اس‌کی هاینیکس با ترکیب چگالی NAND و پهنای باند HBM انقلابی در معماری پردازش داده ایجاد کرده است.
به گزارش تکناک، شرکت اس‌کی هاینیکس در اجلاس جهانی OCP 2025، از استراتژی بلندپروازانه خود برای حافظه‌های NAND ویژه هوش مصنوعی (AIN) پرده‌برداری کرد. این شرکت با درک اینکه سیستم‌های هوش مصنوعی نیازمند راه‌حل‌های ذخیره‌سازی فراتر از درایوهای سازمانی مرسوم هستند، سه خانواده محصول جدید را برای بهینه‌سازی تمام مراحل کاری هوش مصنوعی، از جمع‌آوری داده تا آموزش و استنتاج، معرفی کرده است. این استراتژی سه جانبه شامل سه خط تولید متمایز است: AIN D برای چگالی بالا و AIN P برای عملکرد فوق‌العاده و AIN B برای پهنای باند بی‌سابقه.
AIN D؛ ذخیره‌سازی در مقیاس پتابایت برای داده‌های عظیم
تامزهاردور می‌نویسد که برای پاسخ‌گویی به نیاز روزافزون به ذخیره‌سازی مجموعه داده‌های عظیم هوش مصنوعی، اس‌کی هاینیکس خانواده AIN D (Density) را معرفی کرده است. این محصولات با بهره‌گیری از حافظه‌های 3D QLC NAND، کمترین هزینه به‌ازای هر بیت را ارائه می‌دهند و قرار است به چگالی در سطح پتابایت (هزاران ترابایت) دست یابند. هدف اصلی این خط تولید، جایگزینی هارد دیسک‌های Nearline (آفلاین) در مراکز داده است؛ درحالی‌که مزایای مهم درایوهای حالت جامد (SSD) مانند سرعت دسترسی چشمگیر را حفظ می‌کند.
AIN P؛ جهش به سوی ۱۰۰ میلیون IOPS
در بخش عملکرد، خانواده AIN P (Performance) برای کاربردهای حساس به سرعت مانند استنتاج هوش مصنوعی و جست‌وجو در پایگاه‌های داده بُرداری طراحی شده است. این درایوها با کنترلرهای بازطراحی‌شده، عملیات ورودی‌خروجی در ثانیه (IOPS) را به حداکثر می‌رسانند.
چان‌سونگ کیم، نایب‌رئیس اس‌کی هاینیکس، در‌این‌باره گفت:
نمونه اولیه این محصول که تا پایان سال آینده عرضه می‌شود، ۵۰ میلیون IOPS با رابط PCIe 6.0 می‌تواند ارائه دهد که هفت برابر بیشتر از SSDهای سازمانی مرسوم است. هدف نهایی ما رسیدن به سرعت خیره‌کننده ۱۰۰ میلیون IOPS تا پایان سال ۲۰۲۷ است.
کارشناسان اشاره می‌کنند که دستیابی به این رقم خیره‌کننده با رابط استاندارد PCIe 6.0 x4 ممکن نیست و احتمالاً نیازمند رابط‌های پیشرفته‌تر مانند PCIe 6.0 x8 یا PCIe 7.0 خواهد بود.
AIN B: ترکیب پهنای باند HBM با چگالی NAND
پیشرفته‌ترین و آینده‌نگرانه‌ترین بخش این استراتژی AIN B (Bandwidth) است. این محصولات برپایه فناوری نوظهور فلش با پهنای باند بالا (HBF) ساخته می‌شوند که با همکاری شرکت سن‌دیسک در حال توسعه است. هدف این فناوری ارائه پهنای باندی مشابه حافظه‌های گران‌قیمت HBM در کنار چگالی بالای حافظه‌های NAND است. این نوآوری به سیستم‌های هوش مصنوعی اجازه می‌دهد تا پردازش‌های پیچیده‌تر را بدون نیاز به افزودن شتاب‌دهنده‌های بیشتر انجام دهند.
برای پیشبرد این فناوری، اس‌کی هاینیکس و سن‌دیسک رویداد مشترک «شب HBF» را در حاشیه اجلاس میزبانی کردند تا اکوسیستم لازم برای این استاندارد جدید را با همکاری غول‌های فناوری جهان ایجاد کنند.
آن هیون، رئیس و مدیر ارشد توسعه اس‌کی هاینیکس، در پایان اظهار کرد:
با همکاری نزدیک با مشتریان و شرکای خود، در بازار نسل بعدی ذخیره‌سازی NAND به بازیگری مهم تبدیل خواهیم شد و آینده راه‌حل‌های حافظه هوش مصنوعی را شکل خواهیم داد.
