معماری انقلابی حافظه ZAM اینتل و سافت‌بنک اجازه می‌دهد مراکز داده هوش مصنوعی با نیمی از مصرف برق فعلی، به پهنای باند و سرعت بیشتری برسند.
به گزارش سرویس فناوری تکناک، اینتل و سای‌مموری (SaiMemory)، زیرمجموعه سافت‌بنک، از توافق‌نامه همکاری جدیدی برای پیشبرد توسعه و تولید نوعی حافظه انقلابی با چیدمان عمودی به نام حافظه Z-Angle یا ZAM خبر دادند. این حافظه نسل بعدی با هدف رقابت مستقیم با حافظه‌های با پهنای باند بالا (HBM) طراحی شده است که ستون فقرات مراکز داده جدید هوش مصنوعی هستند؛ اما با این مزیت که ظرفیت بیشتر و پهنای باند گسترده‌تر و مصرف برق به‌مراتب کمتری را ارائه می‌دهد.
اگرچه سای‌مموری به‌عنوان یکی از شرکت زیرمجموعه سافت‌بنک شناخته می‌شود، در‌واقع حاصل توسعه مشترک بین اینتل و سافت‌بنک است. این دو غول فناوری از اواسط سال ۲۰۲۵ ساخت نمونه اولیه این استاندارد جدید حافظه را آغاز کرده‌اند که در آن از فناوری‌های بسته‌بندی پیشرفته اینتل و پتنت‌های مهم ژاپنی بهره گرفته شده است.
این سرمایه‌گذاری برای اینتل به‌معنای بازگشتی باشکوه به بازار حافظه پس‌از دهه‌ها (از دهه ۱۹۸۰) و برای ژاپن نیز اولین تلاش در دهه‌های اخیر برای تولید حافظه پیشرفته محسوب می‌شود. ژاپن در دهه ۱۹۸۰ قطب اصلی تولید حافظه بود؛ اما با ظهور تولیدکنندگان کره‌ای و تایوانی، جایگاه خود را از دست داد. هر دو شرکت اینتل و سافت‌بنک با درک نیاز روبه‌رشد جهانی به حافظه بیشتر، فرصت بی‌نظیری برای ارائه راه‌حلی پیشرو در این زمینه مشاهده می‌کنند.
مرتبط:کدام فرمت حافظه برای فلش یا هارد مناسب است؟+ویدیو
طبق گزارش Nikkei، حافظه ZAM به‌گونه‌ای طراحی شده است که دو تا سه برابر ظرفیت HBM را با نصف مصرف برق ارائه دهد و هزینه‌های تولید آن تا ۶۰ درصد کمتر از HBM باشد. سای‌مموری برای دستیابی به این اهداف جاه‌طلبانه ازطریق چیدمان عمودی بیشتر تراشه‌های DRAM و استفاده از فناوری پل اتصال چندقالبی تعبیه‌شده (EMIB) اینتل تلاش خواهد کرد تا تأخیر بین تراشه‌های مجزا را به حداقل برساند.
توسعه حافظه ZAM بر‌اساس کارهای بنیادی اینتل به‌عنوان بخشی از برنامه تحقیق‌و‌توسعه فناوری حافظه پیشرفته (NGDB) زیرنظر وزارت انرژی ایالات متحده و اداره ملی امنیت هسته‌ای ازطریق آزمایشگاه ملی ساندیا بنا شده است. این تحقیقات نشان داد که اگرچه HBM پهنای باند چشمگیری دارد، این مزیت را با ظرفیت و کارایی کمتر در مصرف انرژی معاوضه می‌کند. استفاده از شیوه‌های اتصال جدید اینتل و روش‌های نوین چیدمان DRAM در ZAM، تمام مزایای HBM را بدون معایب سنتی آن فراهم می‌کند.
در فرایند توسعه NGDB برای ZAM، اینتل و ساندیا مجبور شدند رویکردی کاملاً جدید برای چیدمان و سازمان‌دهی تراشه‌های DRAM طراحی کنند. نمونه‌های اولیه تأیید کردند که افزایش ظرفیت ازطریق روش‌های چیدمان جدید امکان‌پذیر است؛ در‌حالی‌که تحولات اخیر نشان داده‌اند که عملکرد قدرتمند و ضروری نیز در دسترس است. همین پیشرفت‌ها موجب شده است تا اینتل و شرکای آن اکنون بتوانند با تولید اولین نمونه‌های اولیه واقعی حافظه Z-Angle گام‌های نهایی را بردارند.
مرتبط: سامسونگ از حافظه LPDDR6 خود در CES 2026 پرده‌برداری می‌کند
این سرمایه‌گذاری برای عرضه ناگهانی جایگزینی برای تولید فعلی DDR5 یا HBM طراحی نشده است؛ بلکه هدف آن فراتر از آن چیزی بوده است که در‌حال‌حاضر برای سازندگان مراکز داده در دسترس قرار دارد و امیدوار است نیازهای آینده را پیش‌بینی و برآورده کند. سای‌مموری قرار است اولین نمونه اولیه ZAM خود را سال ۲۰۲۷ تولید کند و برنامه‌ریزی برای گسترش خط‌تولید انبوه این حافظه جدید تا سال ۲۰۲۹ انجام شده است.
این پروژه فراتر از اینتل و سافت‌بنک حمایت شرکت‌های دیگری را نیز به خود جلب کرده است که نشان‌دهنده تأثیر و علاقه فراوان به این فناوری است. سایر شرکت‌هایی که در طراحی و توسعه و ساخت ZAM همکاری می‌کنند، از این قرارند: شرکت فوجیتسو و شرکت پاورچیپ سِمی‌کنداکتور منوفکچرینگ (PowerChip Semiconductor Manufacturing)، شرکت شینکو الکتریک اینداستریز (Shinko Electric Industries) و دانشگاه توکیو. مشارکت گسترده مؤسسه‌های مختلف ژاپنی بر اهمیت استراتژیک این سرمایه‌گذاری برای سافت‌بنک تأکید می‌کند.
سافت‌بنک در بیانیه خود اعلام کرد:
توسعه فناوری‌های حافظه نسل بعدی به‌واسطه سای‌مموری یکی از ابتکارهای مهم سافت‌بنک برای حمایت از زیرساخت‌های اجتماعی نسل آینده است… با همکاری با اینتل و سایر شرکای فناوری و مؤسسه‌های تحقیقاتی در ژاپن و خارج از کشور، سافت‌بنک به ایجاد فناوری‌های پیشرفته و بومی نیمه‌رسانا و تقویت رقابت‌پذیری جهانی ژاپن کمک خواهد کرد.
تامزهاردور می‌نویسد که علاوه‌بر امکان بازگرداندن ژاپن به‌عنوان بازیگر مهم در صنعت حافظه، به نظر می‌رسد سافت‌بنک فناوری‌های مهمی مانند حافظه نسل بعدی را جزء اصلی ساخت جنبه‌هایی از آینده می‌داند که فراتر از خودِ سخت‌افزار خام است.
در دنیایی که دسترسی به حافظه و سیلیکون و مواد خاکی کمیاب دارایی مهمی برای دفاع استراتژیک محسوب می‌شود، می‌توان استدلال کرد که این‌ها سنگِ‌بنای توسعه اجزای تغییرات اجتماعی در دهه‌های آینده و مشارکت‌هایی هستند که این تغییرات را ممکن می‌سازند. اینتل و سافت‌بنک با این ابتکار قصد دارند در تأمین قدرت این مسیر سهیم باشند.
