حافظه جدید HBM3E میکرون با طراحی ۱۲ لایه تولید می‌شود

حافظه HBM3E میکرون جهش بزرگی در فناوری حافظه است و در آینده در دستگاه‌های مختلفی از‌جمله سرورها و ایستگاه‌های کاری می‌تواند استفاده شود.

به‌گزارش تک‌ناک، میکرون با معرفی حافظه HBM3E دوازده‌ لایه با ظرفیت چشمگیر ۳۶ گیگابایت، مرزهای جدیدی در حوزه‌ی حافظه‌های پرسرعت گشوده است. این افزایش ۵۰ درصدی ظرفیت درمقایسه‌با نسل قبلی HBM3E هشت لایه، امکان اجرای مدل‌های زبانی بزرگ طبیعی مانند Llama 2 با ۷۰ میلیارد پارامتر را روی پردازنده‌ای واحد فراهم می‌کند. با این دستاورد، سرعت پردازش داده‌ها افزایش درخورتوجهی می‌یابد و محققان می‌توانند در زمان کوتاه‌تری به نتایج مدنظرشان دست یابند.

Wccftech می‌نویسد که حافظه HBM3E دوازده لایه ۳۶ گیگابایتی میکرون با مصرف انرژی به‌مراتب کمتر از رقبای ۸ لایه ۲۴ گیگابایتی، جهشی چشمگیر در دنیای حافظه محسوب می‌شود. این محصول با ارائه‌ی پهنای باند بیش از ۱/۲ ترابایت‌بر‌ثانیه و سرعت پین بیش از ۹/۲ گیگابیت‌بر‌ثانیه، استانداردهای جدیدی در صنعت تعیین کرده است. ترکیب این مزایا حداکثر کارایی را با حداقل مصرف انرژی تضمین و آن را به انتخابی ایدئال برای مراکز داده با مصرف انرژی فراوان تبدیل می‌کند.

میکرون با ارسال واحدهای HBM3E دوازده لایه آماده‌ی تولید به شرکای اصلی این صنعت، گامی مهم در جهت پاسخ‌گویی به نیازهای رو‌به‌رشد زیرساخت‌های هوش مصنوعی برداشته است. این دستاورد نشان‌دهنده‌ی نوآوری‌های پیشرفته‌ی میکرون در حوزه‌ی حافظه‌های دارای پهنای باند گسترده است.

میکرون به‌عنوان عضوی از اتحاد 3DFabric TSMC، نقش فعالی در شکل‌دهی آینده‌ی فناوری‌های نیمه‌‌هادی ایفا می‌کند. تولید سیستم‌های پیچیده‌ی هوش مصنوعی مستلزم همکاری تنگاتنگ بین تولیدکنندگان حافظه، مشتریان و شرکت‌های بسته‌بندی و آزمایش است. حافظه‌های HBM3E با ارائه‌ی پهنای باند گسترده، امکان پردازش حجم عظیمی از داده‌ها را فراهم و به پیشرفت سیستم‌های هوش مصنوعی کمک شایانی خواهند کرد.