رونمایی مایکرون از تراشه ۱۶ گیگابیتی DDR5 با فناوری لیتوگرافی EUV

01

از 02

تراشه DDR5 با نرخ انتقال 9200 MT/s

محصول پیشروی مایکرون در فرایند 1γ، تراشه 16 گیگابیتی (2 گیگابایتی) DDR5 است که با نرخ انتقال داده 9200 MT/s و ولتاژ استاندارد 1.1 ولت کار می‌کند.

این تراشه در مقایسه با نسل پیشین، که با فرایند 1β تولید شده بود، ۲۰ درصد توان کمتری مصرف کرده و چگالی بیت آن ۳۰ درصد افزایش یافته است. انتظار می‌رود که این افزایش چگالی، در صورت دستیابی به بازدهی مشابه تراشه‌های 16 گیگابیتی 1β، کاهش هزینه تولید را نیز به همراه داشته باشد.

هرچند مایکرون تراشه‌های جدید خود را با سرعت 9200 MT/s ارزیابی کرده، اما این مقدار از استاندارد فعلی DDR5 فراتر است. اگرچه این شرکت تأکید دارد که تراشه مذکور در سرعت‌های استاندارد JEDEC عملکرد مطلوبی دارد و نرخ انتقال بالاتر آن، امکان سازگاری با پردازنده‌های نسل بعد را فراهم می‌کند.

همچنین شرکت مایکرون بیان کرده است که ماژول‌های حافظه CUDIMM و مبتنی بر CXL می‌توانند از سرعت‌هایی فراتر از استاندارد JEDEC بهره ببرند. در این میان، ماژول‌های حافظه مخصوص کاربران حرفه‌ای نیز به احتمال زیاد از این تراشه‌ها در ماژول‌های DDR5 با سرعتی فراتر از 10,000 MT/s استفاده خواهند کرد.

شرکت مایکرون در حال حاضر نمونه‌های اولیه تراشه 16 گیگابیتی DDR5 تولیدشده با فناوری 1γ را در اختیار سازندگان لپ‌تاپ و سرور قرار داده است و انتظار دارد که فرایند تأیید آن طی یک یا دو فصل آینده تکمیل شود. در نتیجه، عرضه این حافظه‌های جدید در بازار از اواسط سال ۲۰۲۵ آغاز خواهد شد. این شرکت پیش‌بینی می‌کند که تمامی انواع ماژول‌های حافظه، از جمله ماژول‌های دسکتاپ، لپ‌تاپ و سرور، از این تراشه بهره خواهند برد.

با توجه به عملکرد بالای DRAMهای مبتنی بر 1γ در رایانه‌های رومیزی و مصرف بهینه انرژی در لپ‌تاپ‌ها و سرورها، انتظار می‌رود که این تراشه 16 گیگابیتی DDR5 مایکرون با استقبال گسترده‌ای در بازار مواجه شود.

02

از 02

فناوری ساخت 1γ مایکرون

شرکت مایکرون قصد دارد از فرایند تولید 1γ برای تولید دیگر انواع حافظه، از جمله GDDR7، LPDDR5X (با سرعتی تا 9600 MT/s) و محصولات ویژه مراکز داده نیز استفاده کند. به همین دلیل، این گره تولیدی به یکی از ارکان اصلی فناوری این شرکت تبدیل خواهد شد.

فرایند ساخت 1γ، نخستین فناوری مایکرون است که از لیتوگرافی EUV بهره می‌برد؛ فناوری‌ که سایر تولیدکنندگان مطرح حافظه سال‌ها پیش به کار گرفته بودند. با وجود تأخیر در به‌کارگیری این فناوری، انتظار می‌رود که مزایای قابل‌ توجهی نسبت به خطوط تولید کنونی ارائه کند.

این شرکت جزئیات مربوط به تعداد لایه‌های EUV مورد استفاده در این فرایند را فاش نکرده است، اما می‌توان حدس زد که این شرکت از EUV برای لایه‌های حیاتی بهره گرفته است، که در غیر این صورت، نیازمند الگوگذاری چندمرحله‌ای بوده‌اند. این موضوع می‌تواند از افزایش زمان تولید جلوگیری کند و بازدهی را بهبود بخشد.

شرکت مایکرون تأیید کرده است که فرایند 1γ از ترکیب EUV و روش‌های چندالگویی DUV بهره می‌گیرد. همچنین فناوری تولید 1γ این شرکت از نسل جدید ترانزیستورهای High-K Metal Gate و معماری پیشرفته مدارهای BEOL برخوردار است.

شیگرو شیراتاکه، معاون ارشد توسعه فناوری DRAM در مایکرون گفت:

«علاوه بر بهره‌گیری از EUV در 1γ، نسل جدید ترانزیستورهای High-K Metal Gate و فرایندهای پیشرفته BEOL را نیز معرفی کرده‌ایم. این نوآوری‌ها به دستیابی به نرخ انتقال 9200 MT/s انجامیده است، که ۱۵ درصد عملکرد بالاتر نسبت به 1β DRAM را ارائه می‌دهد، در حالی‌ که مصرف توان را حدود ۲۰ درصد کاهش داده است.»

شرکت مایکرون در حال حاضر تولید DRAMهای مبتنی بر 1γ را در کارخانه‌های خود در ژاپن انجام می‌دهد. نخستین ابزار EUV این شرکت در سال ۲۰۲۴ در ژاپن نصب شد. مایکرون قصد دارد با افزایش تولید حافظه‌های 1γ، سیستم‌های EUV بیشتری را به کارخانه‌های خود در ژاپن و تایوان اضافه کند.