حافظه فلش ۱۰۰۰ لایه‌ای کیوکسیا تا سال ۲۰۲۷ تولید خواهد شد

حافظه فلش ۱۰۰۰ لایه‌ای کیوکسیا تا سال ۲۰۲۷ تولید خواهد شد

در‌حال‌حاضر، کیوکسیا (Kioxia) حافظه فلش ناند با حداکثر ۱۷۶ لایه تولید می‌کند؛ اما این شرکت در تلاش است تا سال ۲۰۲۷ حافظه فلش ۱۰۰۰ لایه‌ای تولید کند.

به‌گزارش تک‌ناک، تولیدکنندگان حافظه فلش ناند (NAND) در سراسر جهان در حال رقابت برای رسیدن به اولین تراشه با ۱۰۰۰ لایه‌ی فلش هستند. برنده‌ی این رقابت به‌طور تئوری می‌تواند اولین شرکتی باشد که حافظه‌ای SSD با ظرفیت بسیاز زیاد را به بازار عرضه کند؛ ظرفیتی فراتر از حداکثر ۸ ترابایتی که در‌حال‌حاضر برای مصرف‌کنندگان وجود دارد.

بااین‌حال، مشخص نبود که تولیدکنندگان فلش ناند چه زمانی خواهند توانست به این نقطه‌ی عطف در توسعه‌ی فناوری ذخیره‌سازی دست یابند. حالا شرکت سازنده‌ی فلش Kioxia اعلام کرده است که تا سال ۲۰۲۷ محصولی برای عرضه آماده‌ خواهد کرد.

اکستریم‌تک می‌نویسد که کیوکسیا شرکت تولیدکننده‌ی فضای ذخیره‌سازی ژاپنی است که قبلاً با نام توشیبا، مخترع اولین حافظه‌ی فلش در سال ۱۹۸۷، شناخته می‌شد. این شرکت سابقه‌ی همکاری با وسترن دیجیتال (Western Digital) را نیز در کارنامه‌ی خود دارد و مذاکرات ادغام این دو شرکت هرگز به نتیجه نرسیده است.

با‌وجود‌این، Kioxia در گردهمایی اخیر صنعت حافظه شرکت کرد و برنامه‌های خود شامل دستیابی به حافظه فلش ۱۰۰۰ لایه تا سال ۲۰۲۷ را ارائه داد. به‌گزارش وب‌سایت ژاپنی PC Watch، دستیابی به این هدف تقریباً سه برابر ظرفیت فعلی است؛ به‌همین‌دلیل، به جدول زمانی اعلام‌شده‌ی کیوکسیا اندکی تردید وجود دارد.

حافظه فلش 1000 لایه ای

همان‌طور‌که وبسایت Hothardware اشاره می‌کند، سامسونگ در‌حال‌حاضر تنها از ۱۷۶ لایه در 990 Pro، حافظه‌ی پرچم‌دار SSD خود، استفاده می‌کند. رقیب سامسونگ، اس‌کی هاینیکس (SK Hynix)، اخیراً درباره‌ی افزایش تراکم صحبت کرده است. سال گذشته، این شرکت اولین SSD با بیش از ۳۰۰ لایه را به‌نمایش گذاشت؛ اما به‌احتمال زیاد چند سال طول می‌کشد تا به مرحله‌ی تولید انبوه برسد.

اس‌کی هاینیکس اخیراً از ۱۷۶ لایه به ۲۳۸ لایه ارتقا یافته است و احتمالاً تا سال ۲۰۲۵ به ۳۲۱ لایه خواهد رسید. میکرون نیز در‌حال‌حاضر از فناوری ۲۳۲ لایه استفاده می‌کند. با این تفاسیر، هنوز چند نسل دیگر از فلش NAND را در پیش داریم تا به ۱۰۰۰ لایه نزدیک شویم.

وب‌سایت PC Watch اشاره می‌کند که برای دستیابی به سطح تراکم مورد‌انتظار، تولیدکنندگان ناند مانند کیوکسیا احتمالاً به فلش متراکم‌تری با بیت‌های بیشتر در هر سلول روی خواهند‌ آورد.

در درایوهای امروزی، پرکاربردترین نوع NAND، یعنی TLC، با سه بیت در هر سلول است. درایوهای QLC یا چهار‌سطحی چهار بیت در هر سلول دارند؛ اما هر‌چه بیت‌های بیشتری به هر سلول اضافه کنید، به‌دلیل نزدیکی بیت‌ها به یکدیگر، مهندسی آن دشوارتر می‌شود.

در این مرز جدید درایوهای SSD با ظرفیت بسیار زیاد، احتمال دارد شاهد درایوهای QLC و حتی PLC با پنج بیت در هر سلول باشیم. این درایوها ممکن است عملکردی به‌ خوبیِ درایوهای TLC از خود نشان ندهند؛ اما ظرفیت بسیار بیشتری ارائه می‌دهند.

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

technoc-instagram