فناوری ۲ نانومتری سامسونگ که با نام SF2P نیز شناخته میشود، آینده تراشههای اگزینوس و اسنپدراگون را متحول خواهد کرد.
به گزارش تکناک، سامسونگ بهتازگی طراحی پایه لیتوگرافی GAA دو نانومتری نسل دوم خود را تکمیل کرده است. این فناوری قرار است در آینده در تولید تراشههای اگزینوس و سایر کاربردهای صنعتی استفاده شود. دستاورد مذکور درحالی حاصل شده است که بازدهی لیتوگرافی نسل اول بهتدریج در حال بهبود است و کارشناسان آن را نشانهای از بازگشت تدریجی سامسونگ به رقابت جدی در صنعت ساخت تراشه میدانند؛ صنعتی که سالهاست زیر سلطه شرکت تایوانی TSMC قرار دارد.
براساس گزارش رسانه کرهای ZDNet، فرایند نسل دوم که با نام SF2P نیز شناخته میشود، در مسیر تبدیلشدن به یکی از پایههای اصلی استراتژی سامسونگ برای احیای رقابتپذیری در حوزه تولید نیمهرساناها قرار دارد. این فناوری قرار است ابتدا در تولید تراشه اگزینوس ۲۷۰۰ استفاده شود. همزمان نیز تولید انبوه نمونه اولیه تراشه اگزینوس ۲۶۰۰ در حال انجام است و سامسونگ امید دارد تا در ماههای آینده به بازدهی ۵۰ درصدی در تولید آن دست یابد.
Wccftech مینویسد که فناوری SF2P در مقایسه با نسل اول، مزایای زیادی دارد. سامسونگ اعلام کرده است که این لیتوگرافی موجب بهبود ۱۲ درصدی عملکرد و کاهش ۲۵ درصدی مصرف انرژی و کاهش ۸ درصدی فضای اشغالشده تراشه خواهد شد.
هرچند نام مشتری خاصی در گزارش منتشرشده به چشم نمیخورد، برخی گمانهزنیها از احتمال همکاری مجدد شرکت کوالکام با سامسونگ حکایت میکنند. گفته میشود تراشه اسنپدراگون ۸ الیت نسل ۲ که بهطور اختصاصی برای گوشیهای سری گلکسی S25 طراحی شده، با استفاده از همین فناوری ۲ نانومتری سامسونگ به تولید انبوه خواهد رسید.
با هدفگذاری برای آغاز تولید انبوه فرایند نسل دوم در سال آینده، سامسونگ هماکنون همکاری با شرکتهای طراحی را آغاز کرده و تبلیغات گستردهای درباره این فناوری به راه انداخته است. کارشناسان معتقدند که رقابت فشرده میان سامسونگ و TSMC در حوزه فناوریهای پیشرفته تولید تراشه، بهویژه درزمینه فرایندهای ۲ نانومتری، میتواند موجب افزایش نوآوری و کاهش هزینهها و ارتقای کیفیت محصولات نهایی در سطح جهانی شود.
