سامسونگ تولید انبوه حافظهی نسل نهم QLC V-NAND را با هدف افزایش ظرفیت ذخیرهسازی و بهبود کارایی آغاز کرده است.
بهگزارش تکناک، حافظهی نسل نهم QLC V-NAND سامسونگ به تولید انبوه رسید. این فناوری جدید میتواند در دستگاههای ذخیرهسازی پرظرفیت استفاده شود و امکان رقابت بیشتر در بازار حافظههای ذخیرهسازی فلش را برای سامسونگ فراهم کند.
سامسونگ در وبلاگ رسمی خود ادعا میکند که نسل نهم QLC V-NAND آن با چندین فناوری پیشگامانه برای هوش مصنوعی همراه است. این نسل شامل بهبودهای متعددی درزمینهی افزایش چگالی، ظرفیت بیشتر، سرعت سریعتر و کاهش مصرف انرژی است.
چیپهای جدید نسل نهم سامسونگ با ظرفیت 1 ترابیت از فناوری TLC V-NAND نسل نهم پیروی میکنند که غول فناوری کرهای تولید آن را در آوریل ۲۰۲۴ آغاز کرده است. سونگ هوی هور، معاون اجرایی محصولات فلش و فناوری در سامسونگ، دربارهی عرضهی چیپهای حافظهی QLC V-NAND نسل بعدی این شرکت گفت:
آغاز موفقیتآمیز تولید انبوه QLC V-NAND نسل نهم، تنها چهار ماه پس از نسخهی TLC به ما امکان میدهد که مجموعهای کامل از راهحلهای پیشرفته SSD را ارائه دهیم که نیازهای عصر هوش مصنوعی را برآورده میکند. باتوجهبه رشد سریع بازار SSDهای سازمانی با تقاضای بیشتر برای برنامههای هوش مصنوعی، به تقویت رهبری خود در این بخش ازطریق چیپهای QLC و TLC V-NAND نسل نهم ادامه خواهیم داد.
بهلطف فناوری Channel Hole Etching سامسونگ، سلولهای چهارسطحی نسل نهم ۸۶ درصد چگالی بیشتری از چیپهای QLC VNAND نسل قبلی دارند. همچنین، سامسونگ ویژگیهای سلول را در لایههای مختلف بهینهسازی کرده است که باعث افزایش تقریباً ۲۰ درصدی در عملکرد نگهداری دادهها شده است. درنهایت، چیپها بهدلیل فناوری Predictive Program که وضعیت سلول حافظه را پیشبینی و کنترل میکند، با سرعت ورودی و خروجی حدود ۶۰ درصد بیشتر عمل میکنند.
در بخش مصرف انرژی که ویژگی حیاتی برای دستگاههای همراه است، سامسونگ ادعا میکند که بهلطف طراحی کممصرف و کاهش نیاز به ولتاژ، مصرف انرژی در خواندن و نوشتن بهترتیب ۳۰ و ۵۰ درصد کاهش یافته است. درحالیکه تمرکز اولیهی سامسونگ بر بازار سازمانی است، این شرکت قصد دارد کاربرد چیپهای حافظهی QLC VNAND نسل نهم را به محصولات مصرفی مانند SSDهای پرظرفیت و UFS برای گوشیهای هوشمند جدید گسترش دهد.
