آزمایشگاه تولید 3D DRAM سامسونگ در خاک آمریکا افتتاح شد

3D DRAM

طبق تازه‌ترین گزارش‌ها، سامسونگ مشغول ساخت نسل بعدی حافظه 3D DRAM در خاک آمریکا است. برای این منظور، غول فناوری کره‌ای در آمریکا آزمایشگاهی افتتاح کرده است.

به‌گزارش تک‌ناک، آزمایشگاه تولید 3D DRAM سامسونگ در خاک آمریکا گشایش یافت. آزمایشگاه مربوط به این پروژه در سیلیکون‌ولی و تحت بخش Device Solutions America (به‌ختصار DSA) فعالیت می‌کند.

ظاهراً هدف از این آزمایشگاه، توسعه‌ مدلی ارتقایافته از حافظه‌ رم است که به سامسونگ اجازه می‌دهد تا پیشتاز بازار جهانی 3D DRAM شود. 3D DRAM به‌ نوعی از حافظه‌ رم اشاره می‌کند که با فرایند «سه‌بعدی» ساخته می‌شود.

هدف فرایندهای ساخت سه‌بعدی، استفاده‌ بهینه‌تر از محدودیت‌های سخت‌افزاری فیزیکی با «چیدن» تراشه‌ها، ماژول‌های حافظه و… روی هم است.

برای مثال، در دنیای پردازنده‌های مرکزی، چیزی به نام «کش سه‌بعدی» داریم که به کش معمولیِ سطح 3 پردازنده اشاره می‌کند که به‌صورت سه‌بعدی در فرایند ساخت، روی هم چیده می‌شود تا ظرفیت حافظه‌ داخلی را افزایش دهد. ناگفته نماند که سامسونگ بیش از یک دهه پیش با حافظه‌ فلاش سه‌بعدی انباشته (وی‌نانَد) برای ذخیره‌سازی SSD پیش‌گام شد.

به‌نقل از خبرگزاری کره‌تایمز، با‌توجه‌به اینکه مزایای کش سه‌بعدی روی پردازنده‌های مرکزی رومیزی قبلاً نشان داده شده است، اظهارات سامسونگ درباره‌ی پیشرفت‌های ارائه‌شده 3D DRAM بسیار امیدوارکننده به‌نظر می‌رسد.

کره‌تایمز به اظهارنظری از سامسونگ در اکتبر ۲۰۲۳ اشاره می‌کند که در آن ادعا شده بود ساختارهای جدید برای رم زیر ۱۰ نانومتری ظرفیت‌های تک‌چیپ بزرگ‌تری را امکان‌پذیر می‌سازد که می‌تواند از ۱۰۰ گیگابیت فراتر رود.

به‌طور خلاصه، کار سامسونگ روی 3D DRAM می‌تواند مرزهای ظرفیت حافظه را جابه‌جا کند. چیدمان سه‌بعدی در فرایند ساخت پردازنده برای افزایشِ کش سطح 3 به‌عنوان روشی برای افزایش چشمگیر ظرفیت و عملکرد در آن بار کاری محدود، قبلاً ثابت شده است.

در‌حالی‌که به‌سختی می‌توان گفت اکثر کامپیوترهای شخصی مدرن دچار کمبود رم هستند، ادامه‌ تلاش‌های سامسونگ برای پیشرفت، مطمئناً برای بازار محاسبات به‌طور‌کلی مفید خواهد بود.

اپراتورهای سرور و علاقه‌مندان حرفه‌ای، اولین کسانی هستند که از‌آن سود می‌برند؛ اما عادی‌سازی 3D DRAM نیز ظرفیت رمِ بالارده را افزایش می‌دهد و هم هزینه را برای سطح ورودی کاهش می‌دهد؛ همان‌طور‌که اکثر پیشرفت‌های اصلی در سخت‌افزار کامپیوترهای شخصی این کار را انجام می‌دهند.

با‌این‌حال، تنها زمان نشان خواهد داد که 3D DRAM سامسونگ چقدر موفق خواهد شد و دقیقاً چقدر باید منتظر در‌دسترس قرار‌گرفتن این راه‌حل‌ها باشیم. بااین‌همه، در‌حال‌حاضر، فقط باید به دانستن این موضوع راضی باشیم که آزمایشگاهِ سامسونگ در سیلیکون‌ولی در حال تلاش برای پیش‌برد نسل ظاهراً بعدی فرایند ساخت رم است.

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

اخبار جدید تک‌ناک را از دست ندهید.