V-NAND نسل دهم سامسونگ با بیش از ۴۰۰ لایه معرفی شد

سامسونگ از نسل دهم حافظه V-NAND خود با بیش از ۴۰۰ لایه و سرعت ۵/۶ GT/s و فناوری Hybrid Bonding پرده‌برداری کرد.

به گزارش تک‌ناک، سامسونگ در کنفرانس بین‌المللی مدارهای حالت جامد ۲۰۲۵ حافظه V-NAND نسل دهم خود را رونمایی کرد. این حافظه جدید بیش از ۴۰۰ لایه فعال و سرعت رابط ۵/۶ GT/s دارد. علاوه‌بر این، سامسونگ برای نخستین‌بار در این فناوری از معماری Cell-on-Peripheral (CoP) همراه با اتصال Hybrid بهره برده است. این ویژگی‌ها علاوه‌بر افزایش تعداد لایه‌های فعال و بهبود عملکرد، زمینه‌ساز توسعه SSD‌های پرسرعت خواهند بود.

تامزهاردور می‌نویسد حافظه V-NAND نسل دهم که در ISSCC معرفی شد، از نوع 3D TLC NAND است و در هر دای ظرفیت ۱ ترابیت و چگالی ۲۸ گیگابیت بر میلی‌متر‌مربع دارد. هرچند این چگالی در مقایسه با V-NAND 3D QLC سامسونگ که به ۲۸/۵ گیگابیت بر میلی‌متر‌مربع می‌رسد، اندکی کمتر است، تمرکز اصلی این محصول بر افزایش تعداد لایه‌ها و بهره‌گیری از اتصال Hybrid در مدارهای جانبی بوده است.

تعداد لایه‌های NAND

نسل	YMTC	YMTC	Micron	Samsung	Samsung	Kioxia/Sandisk	Kioxia/Sandisk	SK hynix
نسل	؟	Xtacking 3.0/Gen 4	Gen 9 (G9)	V9	V10	BiCS 8	BiCS 9	Gen 9
لایه‌ها	232 لایه	232 لایه	276 لایه	290 لایه (?)	4xx لایه	218 لایه	332 لایه	321 لایه
چگالی	بیشتر از 20 گیگابیت بر میلی‌متر مربع	19.8 گیگابیت بر میلی‌متر مربع	21.0 گیگابیت بر میلی‌متر مربع	17 گیگابیت بر میلی‌متر مربع	28 گیگابیت بر میلی‌متر مربع	22.9 گیگابیت بر میلی‌متر مربع (?)	؟	20 میلی‌متر مربع
معماری	TLC	QLC	TLC	TLC	TLC	QLC	؟	TLC
ظرفیت دای	1 ترابیت	1 ترابیت	1 ترابیت	1 ترابیت	1 ترابیت	2 ترابیت	؟	1 ترابیت
سرعت ورودی/خروجی	؟	؟	تا 3600 MT/s	تا 3200 MT/s	تا 5600 MT/s	تا 3600 MT/s	تا 4800 MT/s	؟

سامسونگ مانند سایر تولیدکنندگان NAND، پیش‌تر مدارهای جانبی را در زیر آرایه حافظه قرار می‌داد؛ اما در V-NAND نسل دهم، این شرکت مدارهای جانبی شامل Row Decoder و Sense Amplifier و Buffer و Voltage Generator و I/O را روی ویفری جداگانه و با استفاده از فناوری منطقی خود تولید و سپس آن را به ویفر اصلی متصل می‌کند که آرایه حافظه 3D NAND دارد. این روش مشابه رویکردی است که شرکت‌هایی مانند Kioxia/SanDisk و YMTC نیز از آن استفاده می‌کنند.

حافظه V-NAND نسل دهم که در ISSCC معرفی شد، از نوع 3D TLC NAND است

این معماری جدید به سامسونگ امکان داده تا سرعت رابط V-NAND نسل دهم را به ۵/۶ GT/s افزایش دهد. در این سرعت، هر واحد NAND می‌تواند نرخ انتقال داده‌ای معادل ۷۰۰ مگابایت‌بر‌ثانیه ارائه دهد. در پیکربندی‌های گسترده‌تر، ده واحد از این حافظه می‌توانند حداکثر ظرفیت رابط PCIe 4.0 x4 را اشغال کنند و بیست واحد از آن‌ها می‌توانند از تمام توان PCIe 5.0 x4 بهره ببرند. پیکربندی ۳۲ دای در دو بسته NAND نیز می‌تواند به حداکثر توان PCIe 6.0 x4 نزدیک شود.

بیشتر بسته‌های NAND در SSD‌ها شامل هشت یا شانزده دای هستند. بسته‌ای با شانزده دای می‌تواند تا ۲ ترابایت حافظه ارائه دهد و در SSD یک‌طرفه، چهار بسته از این نوع ظرفیت ۸ ترابایت را فراهم می‌کند. درایو M.2 2280 دوطرفه نیز می‌تواند این ظرفیت را به ۱۶ ترابایت برساند. بااین‌حال، سامسونگ در سال‌های اخیر SSD دوطرفه جدیدی عرضه نکرده است؛ چراکه این محصولات با بیشتر لپ‌تاپ‌های موجود در بازار سازگار نیستند.

افزایش پهنای باند و ظرفیت V-NAND نسل دهم سامسونگ این فناوری را به گزینه‌ای ایدئال برای نسل آینده دستگاه‌های ذخیره‌سازی تبدیل می‌کند. این پیشرفت‌ها به سامسونگ کمک می‌کند تا SSD‌های فوق سریع و ماژول‌های UFS با ظرفیت‌های رقابتی تولید کند. بااین‌حال، زمان عرضه این حافظه‌ها به بازار به سرعت تولید انبوه V-NAND 3D TLC جدید بستگی دارد و سامسونگ هنوز جزئیاتی درباره ادغام V-NAND نسل دهم در مجموعه SSD‌های خود ارائه نکرده است.