بهبود حافظه محاسباتی دستگاه‌ها با روشی جدید

برای ایجاد انقلاب درحافظه محاسباتی دستگاه‌ها با کارایی بالا، دانشمندان و مهندسان گام‌هایی را در جهت بهره‌برداری از پتانسیل اکسید هافنیوم که معمولاً به عنوان هافنیا شناخته می‌شود، برمی‌دارند.

به گزارش تکناک، آخرین مطالعه در این زمینه، فرآیندهای دستکاری هافنیا را با هدف هموار کردن راه برای نسل بعدی حافظه محاسباتی ترسیم می کند.

در دهه گذشته، محققان خواص فروالکتریک هافنیا را به ویژه در فاز کریستالی که قطبش الکتریکی را نشان می دهد، بررسی کرده‌اند.

اکسید هافنیوم به دلیل کاربردهای عملی آن در فناوری رایانه و بخصوص برای ذخیره‌سازی داده، یک ماده بسیار هیجان‌انگیز است. بر خلاف اشکال مغناطیسی فعلی حافظه که کند، انرژی بر و ناکارآمد هستند، حافظه فروالکتریک فرار نیست و مقادیر را حتی در صورت خاموش بودن، حفظ می‌کند.

البته گفتنی است که هافنیای فله به طور طبیعی در حالت پایه فروالکتریک نیست. تا همین اواخر، دانشمندان تنها با صاف کردن هافنیا به عنوان یک لایه نازک و دو بعدی می توانستند به حالت فروالکتریک دست یابند.

تحقیق قبلی سینگ که یکی از محققان این مطالعه است،‌ شامل آلیاژ کردن هافنیا با ایتریوم و خنک کردن سریع آن بود، اما این روش دارای اشکالاتی بود و ناخالصی‌ها و بی نظمی را وارد کریستال می‌کرد. با او گفت: برای رسیدن به مرحله مطلوب، به مقدار زیادی ایتریوم نیاز است.

بنابراین با اینکه ما به آنچه می‌خواستیم، دست یافتیم، در همان زمان بسیاری از ویژگی‌های کلیدی مواد را مختل کردیم، زیرا ناخالصی‌ها و بی‌نظمی‌های زیادی را در کریستال وارد می‌کردیم. سپس این سوال مطرح شد که چگونه می‌توانیم به آن حالت فراپایدار با کمترین میزان ممکن ایتریوم برای بهبود خواص ماده حاصل برسیم؟