سامسونگ برای مدتی در حال کار بر روی بهبود فرآیند تولید تراشه های 4 نانومتری خود است و به نظر میرسد که این شرکت پیشرفت قابل توجهی داشته است.
به گزارش تکناک، طبق گزارش منابع خبری فرآیند 4 نانومتری سامسونگ اکنون با فرآیند TSMC برابری میکند و شرکت مطمئن است که به زودی ظرفیت تولید تراشه های 4 نانومتری TSMC را بهبود خواهد بخشید.
پیشرفت پایدار سامسونگ در بهبود بازدهی تراشههای 4 نانومتری میتواند باعث دریافت سفارشات جدید از مشتریان کلیدی مانند کوالکام و انویدیا شود.
طبق گزارشات TrendForce، واحد تراشهسازی قراردادی شرکت سامسونگ در حال کسب سهم بازار است. به نظر میرسد که سرمایهگذاری بزرگ در بخش foundry شرکت، در حال حاضر نتیجه داده است. علاوه بر این، منتظر هستیم که سامسونگ تا پایان سال ۲۰۲۴ تولید انبوه تراشهها با استفاده از فناوری فرآیند ۴ نانومتری را در ایالات متحده آمریکا آغاز کند.
در یک سخنرانی ویژه در دانشگاه ملی سئول، مدیرعامل سامسونگ، کیونگ کیه-هیون، اعلام کرد که شرکت به موقعیت خود در بازار نیمهرساناها بسیار خوشبین است. او همچنین ادعا میکند که شرکت آماده است که به صورت فعالتری نسبت به قبل رقابت کند.
سامسونگ کاملاً آماده است که تولید انبوه تراشههای نسل سوم 4 نانومتری خود را در نیمه اول سال ۲۰۲۳ آغاز کند. این شرکت ۳.۸ میلیارد دلار سرمایهگذاری کرده است تا کارخانههای تولید تراشه ۴ نانومتری خود را گسترش داده و بازدهی را بهبود بخشد. مکان Pyeongtaek سامسونگ تقریباً ۲.۸۹ کیلومتر مربع را شامل میشود. این مکان به اندازه فضای کلی تأسیسات تولید تراشه در هواسونگ و گیهونگ است. این تسهیلات جدید به سامسونگ کمک خواهد کرد تا ظرفیت تولید خود را افزایش داده و به تقاضای رو به رشد برای تراشههای ۴ نانومتری خود پاسخ دهد.
کارخانه آینده سامسونگ در نزدیکی تایلر، تگزاس، اولین تسهیلات تولید پیشرو شرکت در آمریکا در سالهای اخیر خواهد بود. سامسونگ امیدوار است که بتواند نیازهای بسیاری از مشتریان آمریکایی خود را برآورده کند و خدمات foundry اینتل و TSMC را به چالش بکشد.
طبق گزارش، اگر همه چیز طبق برنامه پیش برود، کارخانه جدید فناوری فرآیند 4 نانومتری سامسونگ (SF4E، SF4، SF4P، SF4X و SF4A) تا پایان سال ۲۰۲۴ تولید انبوه را آغاز خواهد کرد. اگرچه این احتمالاً تأثیر چشمگیری در بازار foundry نخواهد داشت، اما میتوان گفت که سامسونگ قطعاً با فرآیند 4 نانومتری خود در ایالات متحده از TSMC جلو خواهد زد. با این حال، سرویسهای foundry سامسونگ همچنان در مقابل سرویسهای foundry اینتل عقب خواهد ماند، زیرا اینتل قصد دارد تا در سال ۲۰۲۴ شروع به تولید تراشهها در نود 20A (کلاس 2 نانومتری) و در سالهای ۲۰۲۴-۲۰۲۵ در نود 18A (کلاس 1.8 نانومتری) کند.
بازده فناوری فرآیند 4 نانومتری کلاس سامسونگ فاندری در حال حاضر بیش از 75 درصد است. این یک بهبود قابل توجه نسبت به گذشته است و نشان میدهد که سامسونگ در بهبود پیوسته بازده تراشههای 4 نانومتری خود پیشرفت میکند. مفهوم “بازده” در تولید تراشه به تعداد تراشههای تولید شده بر روی یک وافر نسبت به حداکثر تعداد تراشههای تکنیکی ممکن اشاره دارد. بازدهی بالاتر به این معنی است که تعداد بیشتری تراشه از یک وافر تولید میشود که میتواند به کاهش هزینه تولید و افزایش سودآوری کمک کند.
بر اساس دادههای TrendForce، سهم بازار foundry تراشه سامسونگ در بازار تولید تراشههای فرآیندسازی از 9.9 درصد در ربع اول سال به 11.7 درصد در ربع دوم سال ۲۰۲۳ بهبود یافت، و درآمد آن به 3.234 میلیارد دلار رسید، نسبت به 2.757 میلیارد دلار در ربع اول. در حالی که تی اس ام سی (TSMC) همچنان تسلط خود را حفظ کرد، سهم بازار آن به 56.4 درصد با درآمد 15.656 میلیارد دلار کاهش یافت.
نتیجه
پیشرفت پایدار سامسونگ در بهبود بازده تراشههای 4 نانومتری، نشانگری مثبت برای این شرکت است. سامسونگ اعتقاد دارد که به زودی توانایی تولید 4 نانومتری خود را از TSMC پیش خواهد گرفت و این امر به او کمک خواهد کرد تا سفارشات جدیدی از مشتریان کلیدی خود مانند کوالکام و NVIDIA بدست آورد. سرمایهگذاری سامسونگ در کارخانههای تولید 4 نانومتری خود و تسهیلات جدید پیونگتک، به شرکت کمک خواهد کرد تا ظرفیت تولید خود را افزایش داده و به تقاضای رو به رشد برای تراشههای 4 نانومتری خود پاسخ دهد. با بازدهی بیش از 75 درصد، سامسونگ در بهبود بازده تراشههای 4 نانومتری خود پیشرفت قابل توجهی کرده است که به کاهش هزینه تولید و افزایش سودآوری کمک خواهد کرد.
