سامسونگ، بزرگترین سازنده تراشههای حافظه در جهان، اعلام کرد که تولید انبوه تراشه نسل هشتمی V-NAND سلول سهگانه یک ترابیتی را آغاز کرده است.
به گزارش تک ناک، این تراشه ها دارای بالاترین تراکم بیت و ظرفیت ذخیره سازی در صنعت هستند. آنها برای استفاده در سرورهای سازمانی پیشرفته طراحی شده اند.
این شرکت کره جنوبی با بهبود بهره وری بیت در هر ویفر نیمه هادی به بالاترین تراکم بیت در صنعت دست یافت. این شرکت از رابط جدید Toggle DDR 5.0 استفاده کرده و دارای سرعت ورودی و خروجی تا 2.4 گیگابیت بر ثانیه است که نسبت به تراشه های نسل قبلی 1.2 برابر افزایش یافته است. در حالی که از تداخل سلول به سلول جلوگیری می کرد، از مقیاس بندی سه بعدی برای سطح و ارتفاع استفاده کرد.
تراشه نسل هشتمی V-NAND می تواند استانداردهای PCIe 4.0 و PCIe 5.0 را در خود جای دهند. تراشههای ذخیرهسازی جدید سامسونگ در سرورهای سازمانی نسل بعدی و بخش خودرو استفاده خواهند شد.
در بخش خودرو، قابلیت اطمینان از اهمیت بالایی برخوردار است و سامسونگ قصد دارد تراشه نسل هشتمی V-NAND خود را در آینده به خودروها بیاورد.
انتظار میرود تراشههای نسل هشتمی V-NAND سامسونگ ابتدا در چند ماه آینده در سرورهای سازمانی پیشرفته استفاده شوند.
