شرکت TSMC از لیتوگرافی ۱/۴ نانومتری A14 خود پرده‌برداری کرد. این لیتوگرافی قرار است در سال ۲۰۲۸ عرضه شود.
به گزارش تکناک، شرکت تایوانی TSMC در سمپوزیوم فناوری آمریکای شمالی ۲۰۲۵، نسل جدید لیتوگرافی تراشه خود با نام A14 را معرفی کرد که در کلاس ۱/۴ نانومتری قرار می‌گیرد. این فناوری جدید با تکیه بر ترانزیستورهای نانوشیت GAA نسل دوم و معماری جدید NanoFlex Pro، وعده افزایش عملکرد و کاهش مصرف انرژی و افزایش چگالی ترانزیستور در مقایسه با لیتوگرافی ۲ نانومتری فعلی (N2) را می‌دهد.
به گفته کوین ژانگ، معاون ارشد توسعه کسب‌وکار و فروش جهانی و معاون اجرایی TSMC، لیتوگرافی A14 تا ۱۵ درصد عملکرد سریع‌تر و ۳۰ درصد مصرف انرژی کمتر و دست‌کم ۲۰ درصد چگالی ترانزیستور بیشتر را در مقایسه با فناوری N2 ارائه می‌دهد. وی تأکید کرد که این فناوری نود کامل جدید محسوب می‌شود و از ابتدا با هدف بهینه‌سازی حداکثری درزمینه توان و عملکرد و فضا (PPA) طراحی شده است.
تامزهاردور می‌نویسد که لیتوگرافی A14 شرکت TSMC از سال ۲۰۲۸ وارد فاز تولید انبوه می‌شود؛ اما نسخه ابتدایی آن فاقد شبکه برق‌رسانی پشتی (SPR) خواهد بود. با‌این‌حال، TSMC اعلام کرده است که نسخه‌ای از A14 با این قابلیت را برای سال ۲۰۲۹ در نظر گرفته است. نسخه دارای SPR برای مشتریانی طراحی شده است که در حوزه‌هایی مانند رایانش کلاینت و دیتاسنتر فعالیت می‌کنند و به عملکرد قدرتمند و زیرساخت برق‌رسانی پیشرفته نیاز دارند.
در مقایسه با فناوری N2، لیتوگرافی A14 شرکت TSMC می‌تواند در همان میزان توان و پیچیدگی، تا ۱۵ درصد عملکرد قوی‌تری ارائه و در فرکانس برابر، مصرف انرژی را تا ۳۰ درصد کاهش دهد. همچنین، چگالی ترانزیستور در طراحی‌های ترکیبی (شامل ۵۰ درصد منطق و ۳۰ درصد SRAM و ۲۰ درصد آنالوگ) تا ۲۳ درصد افزایش می‌یابد.
یکی از ویژگی‌های مهم لیتوگرافی جدید TSMC، معماری NanoFlex Pro است. این معماری که نسخه بهبودیافته‌ای از فناوری FinFlex محسوب می‌شود، امکان ترکیب سلول‌های مختلف از کتابخانه‌های متنوع (ازجمله با عملکرد قدرتمند و توان کم یا بهره‌وری فضایی) را درون یک بلوک طراحی فراهم می‌کند.
اگرچه TSMC جزئیات فنی دقیقی درباره تفاوت NanoFlex با NanoFlex Pro ارائه نکرده، انتظار می‌رود نسخه پرو کنترل دقیق‌تری روی پیکربندی سلول‌ها و ترانزیستورها فراهم کند و ابزارهای نرم‌افزاری جدیدی برای بهینه‌سازی سریع‌تر در اختیار طراحان قرار دهد.
بهبودهای PPA اعلام‌شده برای فناوری‌های ساخت جدید TSMC
| مقایسه | مصرف انرژی | عملکرد | چگالی | نوع ترانزیستور | برق‌رسانی | تولید انبوه |
| A16 در مقایسه با N2P | ۱۵ تا ۲۰ درصد کمتر | ۸ تا ۱۰ درصد بیشتر | ۱/۰۷ تا ۱/۱۰ برابر بیشتر | GAA | SPR | نیمه دوم ۲۰۲۶ |
| N2X در مقایسه با N2P | — | ۱۰ درصد بیشتر | ؟ | GAA | جلو با SHPMIM | ۲۰۲۷ |
| A14 در مقایسه با N2 | ۲۵ تا ۳۰ درصد کمتر | ۱۰ تا ۱۵ درصد بیشتر | ۱/۲ برابر بیشتر | GAA نسل دوم | جلو با SHPMIM | ۲۰۲۸ |
| A14 با SPR در مقایسه با N2 | — | — | — | GAA نسل دوم | SPR | ۲۰۲۹ |
در جدول مقایسه‌ای که TSMC ارائه داده است، لیتوگرافی A14 در همه شاخص‌های مهم ازجمله عملکرد و توان و چگالی، در برابر لیتوگرافی N2 برتری محسوسی دارد. با اینکه این فناوری بدون SPR وارد بازار می‌شود، همچنان برای بسیاری از کاربردهای حوزه کلاینت و اینترنت اشیاء و محصولات تخصصی که به شبکه‌های برق‌رسانی پیچیده نیازی ندارند، مناسب خواهد بود.
در پایان، TSMC اشاره کرده است که پس‌از سال ۲۰۲۹، نسخه‌های بیشتری از لیتوگرافی A14 ازجمله A14X برای حداکثر عملکرد و A14C برای بهینه‌سازی هزینه عرضه خواهند شد. بدین‌ترتیب، A14 می‌تواند ستون فقرات نسل آینده پردازنده‌های پیشرفته در نیمه دوم دهه جاری میلادی باشد.
