در گامی مهم برای صنعت تراشه‌سازی، Rapidus تولید ویفرهای ۲ نانومتری خود را با استفاده از پردازش تک‌ویفری آغاز کرده است.
به گزارش تکناک، شرکت ژاپنی Rapidus به‌تازگی با انتشار بیانیه‌ای رسمی اعلام کرد که تولید آزمایشی ویفرهایی با ساختار ترانزیستورهای ۲ نانومتری از نوع GAA را در کارخانه پیشرفته IIM-1 واقع در ژاپن آغاز کرده است. به گفته شرکت، ویفرهای اولیه به مشخصات الکتریکی مورد انتظار دست یافته‌اند که نشان می‌دهد ابزارهای کارخانه به‌درستی کار می‌کنند و توسعه فناوری ساخت تراشه طبق برنامه در حال پیشرفت است.
تأسیسات IIM-1 از زمان آغاز ساخت در سپتامبر ۲۰۲۳، پیشرفت چشمگیری کرده‌اند. اتاق تمیز این کارخانه در سال ۲۰۲۴ تکمیل و تا ژوئن ۲۰۲۵ بیش از ۲۰۰ ابزار مختلف ازجمله تجهیزات لیتوگرافی DUV و EUV در آن نصب و راه‌اندازی شد. ابزارهای EUV پیشرفته در دسامبر ۲۰۲۴ به کار گرفته شدند و نخستین نوردهی موفق با این تجهیزات در آوریل ۲۰۲۵ انجام شد.
تامزهاردور می‌نویسد که با رسیدن کارخانه به سطحی از بلوغ عملیاتی، Rapidus اکنون می‌تواند ویفرهای آزمایشی را با فناوری ۲ نانومتری تولید و پارامترهای حیاتی مدارهای ساخته‌شده را اندازه‌گیری کند. این پارامترها شامل ولتاژ آستانه، جریان روشن، جریان نشتی، شیب زیرآستانه، سرعت سوئیچینگ، مصرف انرژی و ظرفیت خازنی هستند.
یکی از جنبه‌های متمایز پروژه Rapidus، به‌کارگیری روش پردازش تک‌ویفری (Single-Wafer Processing) در تمامی مراحل تولید جلویی است؛ روشی که در آن هر ویفر به‌طور مجزا پردازش و بررسی و کنترل می‌شود. درحالی‌که تولیدکنندگانی مانند اینتل و سامسونگ و TSMC از ترکیب پردازش دسته‌ای و تک‌ویفری استفاده می‌کنند، Rapidus قصد دارد تمام مراحل ازجمله اکسیداسیون، کاشت یون، لیتوگرافی، لایه‌نشانی، حکاکی، شست‌وشو و بازپخت را به‌صورت تک‌ویفری انجام دهد.
این رویکرد امکان تنظیم دقیق فرایند برای هر ویفر را فراهم می‌کند و به مهندسان اجازه می‌دهد تا در زمان واقعی مشکلات را شناسایی و اصلاح کنند. همچنین، داده‌های دقیق‌تر و با وضوح بیشتری تولید می‌شود که می‌توان آنها را به الگوریتم‌های هوش مصنوعی برای بهینه‌سازی کیفیت، کاهش نقص‌ها، افزایش بازده تولید و کنترل آماری فرایند سپرد.
اگرچه پردازش تک‌ویفری هزینه‌های اولیه بیشتری دارد و ممکن است زمان تولید را افزایش دهد، Rapidus معتقد است که مزایای آن در بلندمدت به‌ویژه برای فناوری‌های پیشرفته مانند ۲ نانومتر بر مشکلات موجود غلبه خواهد کرد. همچنین، این روش برای تولیدات کم‌تیراژ و پروژه‌های سفارشی‌سازی‌شده که Rapidus قصد دارد به آنها خدمات دهد، انعطاف‌پذیری بیشتری به‌همراه دارد.
در ادامه مسیر تجاری‌سازی، Rapidus اعلام کرده است که اولین نسخه از کیت توسعه فرایند (PDK) را در سه‌ماهه نخست سال ۲۰۲۶ منتشر خواهد کرد. این کیت به مشتریان اجازه می‌دهد تا طراحی‌های اولیه تراشه خود را برپایه فناوری ۲ نانومتری Rapidus انجام دهند و برای تولید نمونه آماده شوند.
همچنین، Rapidus در حال آماده‌سازی زیرساخت‌های لازم برای اجرای نمونه‌سازی طراحی مشتریان در محل تأسیسات IIM-1 است؛ اقدامی که می‌تواند نقش مهمی در ورود زودهنگام شرکت‌های طراحی به اکوسیستم فناوری Rapidus ایفا کند.
آغاز تولید آزمایشی ویفرهای ۲ نانومتری و رویکرد تمام‌عیار Rapidus در استفاده از پردازش تک‌ویفری، این شرکت ژاپنی را به یکی از بازیگران جدی آینده در صنعت نیمه‌هادی‌ها تبدیل کرده است. با هدف‌گذاری برای تولید انبوه تا سال ۲۰۲۷، Rapidus گامی مهم در مسیر رقابت با غول‌های صنعت مانند TSMC و سامسونگ و اینتل برداشته و آینده‌ای نویدبخش برای صنعت تراشه‌سازی ژاپن رقم زده است.
