فهرست مطالب
شرکت سندیسک نخستین تراشه آزمایشی 3D Matrix Memory را روی ویفرهای سیلیکونی استاندارد ۳۰۰ میلیمتری تولید کرده است.
به گزارش سرویس سختافزار تکناک، این شرکت جزئیات تازهای از روند توسعه تراشه آزمایشی 3D Matrix Memory منتشر کرده که برای آزمایشهای بعدی بستهبندی شده است. بر اساس اعلام سندیسک، نمونههای اولیه اکنون قادر به ذخیره چندین گیگابیت داده هستند و عملکرد آنها به مشخصات هدفگذاریشده برای نسخه نهایی محصول نزدیک شده است.
بیشتر بخوانید: SSD جدید سندیسک برای NAS با دوام ۱۴ پتابایتی از راه رسید
معماری تراشه 3D Matrix Memory
برای مطالعه بیشتر: قیمت حافظههای سازمانی سر به فلک کشید؛ غافلگیری مراکز داده
تراشه 3D Matrix Memory از سال ۲۰۱۷ بهعنوان یک گزینه جایگزین برای حافظههای DRAM سنتی در دست توسعه قرار دارند، اما برخلاف DRAM از یک معماری سهبعدی کاملا متفاوت بهره میبرد. سندیسک معتقد است این فناوری در آینده میتواند عملکردی در سطح DRAM ارائه کند، اما ظرفیت آن تا چهار برابر بیشتر و هزینه آن حدود ۵۰ درصد کمتر به ازای هر بیت است. نمونههای جدید بر پایه پلتفرم آزمایشی توسعهیافته با همکاری Imec، شریک تحقیقاتی سندیسک ساخته شدهاند. این شرکت در ادامه مسیر توسعه، چندین لایه حافظه را روی یکدیگر انباشته و تولید نمونههای اولیه را با استفاده از ویفرهای استاندارد ۳۰۰ میلیمتری آغاز کرده است. اکنون تراشههای تولیدشده وارد مرحله آزمایشهای تکمیلی شدهاند.
چندسال تا تولید انبوه فاصله داریم؟
سندیسک بیان کرده است که آزمایشهای انجامشده تاکنون موفق به نمایش آرایههای حافظه فعال با ظرفیت چند گیگابیت شدهاند و سطح عملکرد نمونهها به اهداف تعیینشده برای یک محصول تجاری احتمالی نزدیک است. هرچند، این شرکت هنوز برنامهای برای اعلام زمان عرضه تجاری 3D Matrix Memory ندارد. آلپر ایلکباهار، مدیر ارشد فناوری سندیسک تاکید کرده است که این فناوری همچنان یک پروژه بلندمدت محسوب میشود و رسیدن آن به بازار ممکن است چند سال زمان ببرد. او درباره روند توسعه این فناوری گفت: «این پروژه در حال پیشرفت است، اما چشمانداز زمانی آن طولانیتر خواهد بود. ما همچنان شما را از پیشرفتهای خود مطلع میکنیم.» نقشه راه جدید سندیسک اطلاعات محدودی درباره مراحل آینده ارائه میدهد. نسخه قبلی این نقشه راه به توسعه نمونههایی با ظرفیت ۳۲ تا ۶۴ گیگابیت اشاره کرده بود، اما زمان مشخصی برای عرضه آنها اعلام نشده بود.
خبر پیشنهادی: تراشه جدید انویدیا؛ بلیت بازگشت به بازار چین؟
در شرایط فعلی، 3D Matrix Memory همچنان بیشتر یک پروژه تحقیقاتی پیشرفته است تا رقیبی آماده برای DRAM در آینده نزدیک باشد. با وجود این، دستیابی سندیسک به تولید نمونههای چندلایه روی خطوط تولید استاندارد ۳۰۰ میلیمتری، ساخت آرایههای حافظه چند گیگابیتی و نزدیک شدن عملکرد نمونهها به اهداف نهایی، یک موفقیت مهم در مسیر توسعه معماریهای جدید حافظه محسوب میشود. سندیسک در کنار این پروژه روی فناوری دیگری با نام High Bandwidth Flash (HBF) نیز کار میکند. برخلاف تراشه 3D Matrix Memory، فناوری HBF معماری جدیدی برای حافظه ایجاد نمیکند، بلکه با انباشتن تراشههای NAND موجود، پهنای باند را افزایش میدهد. این فناوری فاصله کمتری تا تجاریسازی دارد، چرا که سندیسک اعلام کرده که نخستین طراحی HBF مرحله Tape-out را تکمیل کرده است و نمونههای اولیه آن برای آزمایش و اعتبارسنجی در سال آینده آماده خواهند شد.
