چین با ادعای دستیابی به پیشرفت چشمگیر در حوزه فوتونیک سیلیکونی، گامی بلند در جهت رفع وابستگی به فناوری لیتوگرافی فوقبنفش (EUV) تحت کنترل صادراتی ایالات متحده برداشت.
بهگزارش تکناک، سرمایهگذاریهای کلان و مستمر چین در فناوری فوتونیک سیلیکونی (Silicon Photonics)، از عزم راسخ این کشور برای دستیابی به خودکفایی در تولید تراشههای پیشرفته حکایت میکند.
محدودیتهای صادراتی ایالات متحده که دسترسی چین به فناوری پیشرفته لیتوگرافی EUV را بهشدت محدود کرده، محرک اصلی این تلاشها بوده است.
فوتونیک سیلیکونی بهعنوان فناوری نوظهور، از نور مادونقرمز برای انتقال دادهها در داخل و بین تراشهها استفاده میکند. بدینترتیب، پهنای باند را بسیار افزایش و مصرف انرژی را کاهش میدهد. این فناوری با بهرهگیری از روشهای ساخت موجود، توانایی غلبه بر محدودیتهای موجود در قانون مور را دارد.
بهنقل از Wccftech، آزمایشگاه جیافاس، آزمایشگاه دولتی در استان ووهان چین، موفق شده است منبع لیزری را فعال کند که با تراشهای سیلیکونی یکپارچه شده بود. بدینترتیب، یکی از خلأهای موجود در فناوری اپتو الکترونیک چین را پر کند.
شایان ذکر است که چین در سال ۲۰۲۱، آزمایشگاه جیافاس را با سرمایهگذاری اولیه ۸/۲ میلیارد یوان (معادل ۱/۲ میلیارد دلار) تأسیس کرد. این پیشرفت در حالی حاصل شده است که چین برای تولید تراشههای ۷ نانومتری به لیتوگرافی فوقبنفش عمیق (DUV) متکی بوده است.
اجماع بر این است که چین برای تولید کارآمد تراشههای زیر ۷ نانومتری، به لیتوگرافی EUV نیاز خواهد داشت. بااینحال، دسترسی به این فناوری درحالحاضر دستیافتنی نیست؛ زیرا ایالات متحده کنترل انحصاری شرکت ASML، تنها تأمینکننده جهانی دستگاههای لیتوگرافی EUV را در دست دارد.
باتوجهبه این شرایط، فوتونیک سیلیکونی میتواند به چین امکان دهد تا بهطور کامل از تحریمهای ایالات متحده در حوزه میکروچیپها عبور و زمینه را برای نوعی درگیری به سبک تله توکیدیدس (Thucydides Trap) فراهم کند.
