شایعه شده هواوی در تراشه Kirin 9050 از پشتهسازی سهبعدی 3D IC استفاده میکند تا بدون EUV و گره ۵ نانومتری، چگالی و عملکرد را بالا ببرد.
به گزارش سرویس سخت افزار تکناک، بزرگترین تولیدکننده نیمهرسانای چین، یعنی SMIC، در حال حاضر به دلیل ناتوانی در خرید تجهیزات پیشرفته EUV با محدودیت روبهرو است؛ محدودیتی که مانع تولید انبوه ویفر با لیتوگرافی ۵ نانومتری یا پایینتر میشود.
وقتی راه جایگزینی برای عبور از این سقف وجود ندارد، نیاز به نوآوری و خلاقیت کاملا حیاتی میشود. حالا شایعهای مطرح شده که یک راهکار جدید پشتهسازی سهبعدی مدارهای مجتمع (3D IC) قرار است در تراشه Kirin 9050 هواوی به کار گرفته شود تا عملکرد را بهبود دهد. نکته مثبت این شایعه این است که گفته میشود این سیستم-روی-چیپ میتواند از A18 Pro قدیمیتر اپل هم عبور کند.
پر فروش ترین موبایل های بازار
3%گوشی موبایل سامسونگ مدل Galaxy S25 FE دو سیم کارت ظرفیت 256 گیگابایت و رم 8 گیگابایت – ویتنام
گوشی موبایل اپل مدل iPhone 17 CH دو سیم کارت ظرفیت 256 گیگابایت و رم 8 گیگابایت – نات اکتیو
گوشی موبایل اپل مدل iPhone 17 Pro Max ZAA تک سیم کارت + eSim ظرفیت 256 گیگابایت و رم 12 گیگابایت – نات اکتیو
گوشی موبایل سامسونگ مدل Galaxy S25 Ultra دو سیم کارت ظرفیت 256 گیگابایت و رم 12 گیگابایت – پک ویتنام
گوشی موبایل شیائومی مدل Poco X7 Pro دو سیم کارت ظرفیت 512 گیگابایت و رم 12 گیگابایت – گلوبال
گوشی موبایل شیائومی مدل Redmi Note 15 4G دو سیم کارت ظرفیت 256 گیگابایت و رم 8 گیگابایت
گوشی موبایل سامسونگ مدل Galaxy A56 دو سیم کارت ظرفیت 256 گیگابایت و رم 12 گیگابایت – ویتنام
گوشی موبایل شیائومی مدل Redmi Note 15 Pro Plus دو سیم کارت ظرفیت 512 گیگابایت و رم 12 گیگابایت
گوشی موبایل اپل مدل iPhone 17 Pro ZAA تک سیم کارت + eSim ظرفیت 256 گیگابایت و رم 12 گیگابایت – نات اکتیو
گفته میشود فناوری جدید بستهبندی به Kirin 9050 اجازه میدهد قطعات را به صورت عمودی روی هم قرار دهد تا چگالی ترانزیستور و عملکرد افزایش پیدا کند.
یو فانگبو، تحلیلگر CITIC Securities، درباره تراشه پرچمدار آینده هواوی یعنی Kirin 9050 ادعای جسورانهای مطرح کرده است؛ تراشهای که احتمالا نیروی پردازشی سری آینده Mate 90 را تامین میکند.
با اینکه بارها شنیده شده هواوی و SMIC توانستهاند با استفاده از تجهیزات DUV موجود، فرایند ۵ نانومتری را توسعه دهند، اما این لیتوگرافی هرگز برای تولید انبوه ویفر به کار گرفته نشده و هر دو شرکت همچنان به گره قدیمیتر ۷ نانومتری پایبند ماندهاند؛ چون بازدهی بهتری دارد و هزینهها را پایینتر نگه میدارد.
برای عبور از این مانع بزرگ، شایعه شده Kirin 9050 به فناوری پشتهسازی 3D IC مجهز میشود؛ روشی که قطعات را به صورت عمودی روی هم قرار میدهد تا بدون اتکا به فرایند پیشرفته ۳ نانومتری، چگالی ترانزیستور و عملکرد افزایش یابد.
طبق گزارش Wccftech، بر اساس نتایج تستها گفته میشود هواوی در حال آمادهسازی Kirin 9050 است و عملکرد این تراشه نسبت به A18 Pro اپل برتری دارد.
با این حال، پستی که توسط @szslg منتشر شده پر از ابهام است؛ چون نه مشخص شده چه تستهایی برای مقایسه Kirin 9050 با A18 Pro انجام شده و نه هیچ اشارهای به میزان مصرف انرژی دیده میشود. وقتی یک تراشه با توان نامحدود اجرا شود، پیشتر شایعهای مطرح شده بود که حتی نمونه مهندسی Exynos 2600 هم میتواند از M5 جلو بزند.
متاسفانه این ادعاها در نهایت بیمعنا میشوند، چون این چیپستها باید در یک دستگاه موبایل کار کنند، نه در یک محیط کنترلشده و جادار. به همین شکل، هنوز چیزی درباره مصرف انرژی Kirin 9050 شنیده نشده است، اما این موضوع هیجانانگیز است که گفته میشود هواوی قرار است فناوری طراحی LogicFolding را در این سیلیکون به کار بگیرد؛ اقدامی که مجموعهای از ارتقاها را به همراه میآورد، از جمله افزایش چگالی ترانزیستور، بالا رفتن فرکانسهای کاری، و موارد دیگر.
