سامسونگ نسل نهم حافظههای V-NAND خود را با 290 لایه رونمایی کرد. این حافظهها که برای استفاده در سرورها و هوش مصنوعی و راهکارهای ابری طراحی شدهاند، تراکم و عملکرد بهتری بهارمغان میآورند.
بهگزارش تکناک، بازار حافظه فلش NAND پس از چند دوره رکود بهلطف کاهش تقاضای مصرفکننده و موجودی انبوه، بهسرعت در حال بهبود است؛ اما با عبور از این دوره، بهنظر میرسد که سامسونگ با معرفی نسل ۹ حافظه فلش V-NAND خود که از فناوری جدیدی برای رسیدن به تراکم بیسابقهای (۲۹۰ لایه) استفاده میکند، نوآوری در این صنعت را به مرحله جدیدی رسانده است.
wccftech بهنقل از رسانههای کرهای گزارش میدهد که سامسونگ قصد دارد نسل ۹ حافظه NAND خود را ماه آینده عرضه کند. این نسل جانشین نسل قبلی خواهد شد که ۲۳۶ لایه داشت. بهنظر میرسد این صنعت بر سر تعداد لایههای حافظه وارد رقابت شده و درحالحاضر، سامسونگ از رقبایی مثل SK Hynix و Kioxia پیشی گرفته است. نکته جالب این است که این شرکت کرهای محصول دیگری را با تکنولوژی V-NAND نسل ۱۰ و ۴۳۰ لایه رونمایی کرده که قرار است سال آینده عرضه شود.
یکی دیگر از جنبههای هیجانانگیز نسل ۹ حافظه NAND سامسونگ، فناوری Double Stacking است که به این شرکت اجازه میدهد تا با استفاده از سوراخهای کانالی متعدد، لایههای بیشتری را رویهم قرار دهد. این تکنیک از جریان الکتریسیته برای اتصال سلولهای حافظه استفاده میکند. روش حفر سوراخ در این تکنیک نهتنها باعث کارایی بهتر اتصال میشود؛ بلکه ازلحاظ اقتصادی نیز درمقایسهبا روشهای سنتی تراشهسازی، بسیار مقرونبهصرفه است.
استفاده از حافظههای NAND در ماههای اخیر افزایش چشمگیری یافته است. دلیل اصلی این افزایش تقاضا استفاده از این نوع حافظه در محصولات مرتبط با هوش مصنوعی است؛ چراکه این حوزه به حجم زیادی از فضای ذخیرهسازی پرسرعت نیاز دارد. درنهایت، این تقاضای زیاد در آینده محرک پیشرفتهای بیشتر در بخش تولید حافظه فلش NAND برای شرکتهایی مانند سامسونگ خواهد بود.
