تراشه اگزینوس ۲۷۰۰ سامسونگ با بازطراحی معماری، ضمن افزایش ۳۰ تا ۴۰ درصدی پهنای باند حافظه و بهبود بهرهوری انرژی از اسنپدراگون جلو زد.
به گزارش سرویس سختافزار تکناک، طراحی جدید گام مهمی در بهبود نسلبهنسل پایداری حرارتی برداشته است؛ تغییری که به طور مستقیم باعث ارتقای عملکرد پایدار این چیپ شده است. با وجود این، سامسونگ قصد دارد این مسیر را با ترکیب معماری نوآورانه Side-by-Side (SBS) و یک سیستم دفع حرارت بهینهتر ادامه دهد؛ رویکردی که میتواند جهش قابل توجهی در پهنای باند حافظه ایجاد کند. بر اساس برنامهریزیها، اگزینوس ۲۷۰۰ بر پایه فرایند ساخت SF2P سامسونگ توسعه مییابد؛ گره پیشرفتهای که به عنوان نسل تکاملیافته فناوری ۲ نانومتری Gate-All-Around (GAA) مورد استفاده در اگزینوس ۲۶۰۰ شناخته میشود.
بیشتر بخوانید: نبرد تراشهها در سری گلکسی S26؛ اگزینوس یا اسنپدراگون؟
معماری GAA یک ساختار ترانزیستوری سهبعدی است که در آن گیت به طور کامل کانال را از چهار جهت احاطه میکند؛ کانالی متشکل از نانوشیتهای عمودی که نتیجه آن بهبود کنترل الکتروستاتیکی و کاهش آستانه ولتاژ است. در این چارچوب، انتظار میرود که فرایند SF2P نسبت به نسل پیشین SF2، حدود ۱۲ درصد افزایش عملکرد خام و کاهش ۲۵ درصدی مصرف انرژی را به همراه داشته باشد؛ بهبودی که میتواند نقش مهمی در رقابت نسل آینده تراشههای پرچمدار ایفا کند. مهمترین تحول در طراحی تراشه اگزینوس ۲۷۰۰ سامسونگ نه در سطح عملکرد خام، بلکه در معماری چیدمان داخلی آن رخ میدهد. در نسل اگزینوس ۲۶۰۰ از ساختار موسوم به «ساندویچی» استفاده شده است؛ جایی که حافظه رم به صورت لایهای روی SoC قرار میگیرد و یک هیتسینک مبتنی بر مس با نام Heat Path Block (HPB) نیز در بالاترین لایه تعبیه میشود. هرچند این رویکرد به بهبود راندمان حرارتی کمک میکند، اما همچنان چالش حبس گرما میان SoC و حافظه را به طور کامل برطرف نمیسازد.
مرتبط: بحران صنعت نیمهرسانا؛ چرا حتی ۵۶ میلیارد دلار هم مشکل را حل نکرد؟
حتما بخوانید: کوالکام تولید تراشه پرچمدار بعدی خود را به سامسونگ می سپارد
در مقابل، سامسونگ برای اگزینوس ۲۷۰۰ به سراغ فناوری Fan-out Wafer Level Packaging (FOWLP) رفته است؛ رویکردی که امکان قرارگیری رم در کنار SoC و یکپارچهسازی این دو در سطح ویفر را فراهم میکند. این تغییر معماری، پیامدهای فنی قابل توجهی نظیر کاهش چشمگیر طول مسیرهای ارتباطی داخلی به همراه دارد که باعث افزایش تخمینی ۳۰ تا ۴۰ درصدی پهنای باند حافظه و بهبود بهرهوری انرژی میشود. علاوه بر این، جایگذاری هیتسینک HPB روی هر دو بخش SoC و RAM، سطح تماس حرارتی را افزایش و پایداری دمایی تراشه را به طور محسوسی ارتقا میدهد. در شرایط فعلی، اگزینوس ۲۶۰۰ از نظر پایداری حرارتی، عملکرد بهتری از اسنپدراگون 8 ارائه میدهد. با توجه به تغییرات معماری و نوآوریهای اعمالشده در تراشه اگزینوس ۲۷۰۰ سامسونگ، انتظار میرود که این برتری حرارتی در نسل جدید نهتنها حفظ شود، بلکه تقویت نیز گردد.
