تلاش سامسونگ برای دستیابی به فناوری NAND با بیش از هزار لایه

سامسونگ الکترونیکس برای دستیابی به ذخیره‌سازی پتابایتی، احتمالاً از فناوری NAND با بیش از هزار لایه استفاده خواهد کرد.

به‌گزارش تک‌ناک، تا چند وقت پیش، رسیدن به هدف ذخیره‌سازی «پتابایتی» برای سامسونگ الکترونیکس دست‌نیافتنی به‌نظر می‌رسید؛ اما حالا این شرکت در حال بررسی استفاده از مواد جدیدی به نام «فروالکتریک» است تا با فناوری «حافظه NAND با بیش از هزار لایه» به این هدف دست پیدا کند. wccftech می‌نویسد که برنامه‌های آینده‌ سامسونگ برای بازارهای حافظه‌ NAND شامل عرضه‌ V-NAND Flash نسل 9 می‌شود که با تعداد خیره‌کننده‌ 290 لایه‌ روی‌هم چیده‌‌شده، رکورد جدیدی در بازار به‌جا خواهد گذاشت.

نکته‌ جالب اینکه غول فناوری کره‌ای محصول NAND دیگری با چیدمان خیره‌کننده‌ 430 لایه‌ای (نسل 10 V-NAND) را نیز رونمایی کرده است که انتظار می‌رود سال آینده عرضه شود. با وجود چنین فناوری‌هایی، سامسونگ الکترونیکس قصد دارد تا هر‌چه زودتر از سد هزار ترابایت عبور کند؛ اما خبر هیجان‌انگیز دیگری هم وجود دارد.

در کنفرانس بین‌المللی فناوری مدارهای مجتمع با مقیاس تلفیقی بسیار بالا (VLSI) در هونولولو، انتظار می‌رود محققان مؤسسه‌ علم و فناوری پیشرفته‌ کره (KAIST) یافته‌های خود را درباره‌ «فروالکتریک هافنیم» ارائه دهند که دسته‌ای از مواد با خاصیت فرومغناطیسی در شرایط خاص هستند. در سال‌های اخیر، این مواد به‌ویژه در صنعت کامپیوتر با‌ توجه بسیار روبه‌رو شده‌اند؛ چرا‌که ویژگی‌های فرومغناطیسی آن‌ها ممکن است امکان توسعه‌ خازن‌ها و حافظه‌هایی با اندازه‌ کوچک‌تر و کارایی بیشتر را فراهم کند.

خلاصه‌ای از کار ارائه‌شده در کنفرانس بر‌اساس جزئیات اولیه به‌شرح زیر است:

در این پژوهش، دانشمندان به‌صورت تجربی بهبود درخورتوجهی در عملکرد را نشان می‌دهند که با برهم‌کنش اثرهای تله‌ بار و تغییر وضعیت فرومغناطیسی (FE) در ساختار فلز-عایق-نیمه‌هادی (MIFIS) با لایه‌ میانجی مهندسی‌شده‌ نواره‌ پوششی (BE-G.IL) و لایه‌ میانجی کانال فرومغناطیس (Ch.IL) و سیلیکون (Si) تقویت می‌شود. ساختار MIFIS با لایه‌ میانجی مهندسی‌شده‌ نواره‌ پوششی (BE-MIFIS) باعث بیشینه‌سازی «بازخورد مثبت» (Posi. FB) این اثرهای دوگانه، ولتاژ عملیاتی پایین (VPGM/VERS: +17/-15 V)، بازه‌ حافظه‌ گسترده (MW: 10.5 V) و اختلال ناچیز در ولتاژ بایاس 9 ولت می‌شود.

علاوه‌بر‌این، مدل پیشنهادی دانشمندان تأیید می‌کند که بهبود عملکرد ساختار BE-MIFIS FeFET به تقویت «بازخورد مثبت» نسبت داده می‌شود. این پژوهش ثابت می‌کند که فرومغناطیس‌های هافنیم می‌توانند به‌عنوان عامل اصلی در گسترش توسعه‌ فناوری حافظه‌ سه‌بعدی VNAND عمل کنند.

توجه به این نکته ضروری است که سامسونگ مستقیماً در فرایند تحقیق و توسعه دخیل نیست؛ اما گفته می‌شود افراد درگیر در این پروژه ارتباط مستقیمی با این غول کره‌ای دارند. هنوز مشخص نیست «فروالکتریک‌های هافنیم» مستقیماً به ساخت حافظه‌های پتابایتی منجر شوند؛ ولی می‌توانند نقش مهمی ایفا کنند و در‌نهایت ما را به این هدف برسانند.

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

اخبار جدید تک‌ناک را از دست ندهید.