شرکت SK hynix در رویداد SK AI Summit 2025 نقشه راه حافظههای DRAM تا سال ۲۰۳۱ را منتشر کرد و تمرکز اصلی آن بر سرورهای هوش مصنوعی است.
به گزارش تکناک، هرچند جزئیات فنی زیادی فاش نشد، اما این نقشه جهتگیری کلی فناوری DRAM و زمانبندی تقریبی نسلهای آینده را نشان میدهد؛ نقشه راهی که تمرکز ویژه آن نیز بر سرورهای هوش مصنوعی است.
بر اساس این برنامه، حافظههای مرسوم مانند DDR، GDDR و LPDDR همچنان نقش اصلی را در سیستمهای مبتنی بر هوش مصنوعی ایفا خواهند کرد؛ در حالیکه خانواده HBM برای پردازندههای پرمصرف در زمینه پهنایباند، مخصوصاً در حوزههای AI و HPC، مسیر پیشرفت خود را ادامه میدهد. نکته مهم این است که SK hynix معرفی نسل جدیدی به نام 3D DRAM را برای حدود سال ۲۰۳۰ پیشبینی کرده، اما جزئیات فنی این فناوری هنوز مشخص نیست.
به گزارش تامز هاردویر، در بخش حافظههای DDR5، این نسل تا سالهای آینده به عنوان گزینهای متعادل میان قیمت، چگالی و کارایی باقی میماند. نسخههای MRDIMM Gen2 با سرعت انتقال داده تا ۱۲٬۸۰۰ مگاترنسفر بر ثانیه در سالهای ۲۰۲۶ تا ۲۰۲۷ عرضه خواهند شد. همچنین انتظار میرود نسل دوم حافظههای CXL Memory Expander در فاصله ۲۰۲۷ تا ۲۰۲۸ وارد بازار شود. نسل بعدی یعنی DDR6 در سالهای ۲۰۲۹ یا ۲۰۳۰ معرفی خواهد شد و تا آن زمان تکامل DDR5 ادامه خواهد داشت.
در بخش LPDDR6، تمرکز بر ظرفیت بالا، عملکرد بهینه و کاهش مصرف انرژی است. طبق نقشهراه، ماژولهای SOCAMM2 مبتنی بر LPDDR6 تا اواخر دهه جاری میلادی عرضه خواهند شد؛ همزمان با پردازندههای جدید Nvidia پس از Vera که نیازمند زیرسیستم حافظه تازهای هستند. همچنین نسخه ویژهای از این فناوری با عنوان LPDDR6-PIM (پردازش در ماژول) در سال ۲۰۲۸ برای کاربردهای خاص معرفی میشود.
در بخش GDDR7، این نوع حافظه همچنان در حوزه شتابدهندههای استنتاج مانند Nvidia Rubin CPX باقی خواهد ماند؛ زیرا با وجود کارایی بالا و قیمت کمتر از HBM، ظرفیت کافی ندارد. در ادامه، GDDR7-Next یا همان GDDR8 معرفی خواهد شد. برخلاف Micron که نسخههای خاصی چون GDDR6X را برای Nvidia ساخته، SK hynix چنین همکاری اختصاصی ندارد.
در رده بالای عملکرد، برنامه SK hynix شامل عرضه نسلهای HBM4، HBM4E، HBM5 و HBM5E است که در بازههای ۱.۵ تا ۲ ساله تا سال ۲۰۳۱ منتشر میشوند. احتمالاً HBM5 که برای پردازنده Nvidia Feynman در اواخر ۲۰۲۸ در نظر گرفته شده، تا ۲۰۲۹ یا ۲۰۳۰ آماده نخواهد شد. این شرکت همچنین نسخههای سفارشی از حافظههای HBM4E تا HBM5E را برای مشتریان خاص ارائه خواهد کرد.
در نهایت، SK hynix اعلام کرد که حافظههای HBF (High-Bandwidth Flash) که قرار است سرعتی مشابه HBM و ظرفیتی نزدیک به 3D NAND داشته باشند، پیش از سال ۲۰۳۰ وارد بازار نخواهند شد؛ زیرا نیازمند توسعه رسانههای جدید و توافق با سایر تولیدکنندگان مانند SanDisk هستند که نخستین بار این فناوری را پیشنهاد داده بود.
