فهرست مطالب
اطلاعات تراشه اسنپدراگون 8 الیت نسل 6 پرو نشان میدهد کوالکام با انتقال DRAM به کنار چیپ و افزودن هیتسینک اختصاصی، طراحی SoC را بزرگتر کرده است تا با دفع حرارت بهتر، امکان حفظ فرکانس بالاتر CPU و GPU و عملکرد پایدارتر را فراهم کند.
به گزارش سرویس سختافزار تکناک، با ورود اسنپدراگون 8 الیت نسل 6 پرو، طراحی سنتی PoP یا Package-on-Package به پایان راه خود نزدیک میشود.
تصویر فاششده توسط حساب کاربری LaidBackDev@ نشان میدهد کوالکام در طراحی جدید، DRAM را از روی دای اصلی SoC حذف کرده و آن را در کنار تراشه قرار داده است؛ حافظهای که برای دفع موثرتر حرارت به یک هیتسینک اختصاصی مجهز خواهد شد. در نگاه نخست، ابعاد دای بسیار بزرگ به نظر میرسد.
بیشتر بخوانید: تراشه Ascend 950DT هواوی رقیب جدی انویدیا در چین شد
معماری تراشه اسنپدراگون 8 الیت نسل 6 پرو
برای مطالعه بیشتر: زمانبندی عرضه پردازندههای نوا لیک اینتل لو رفت
البته بخش عمده این افزایش ابعاد به تغییر معماری این تراشه مربوط میشود؛ تغییری که از منظر مدیریت حرارت قابل توجه است، اما در مقابل، سازندگان گوشیهای هوشمند مجهز به تراشههای کوالکام را وادار میکند طراحی داخلی محصولات خود را بازمهندسی کنند. هدف این بازطراحی، فراهم کردن فضای کافی برای تراشه و جلوگیری از ایجاد محدودیت یا مصالحه در طراحی برد منطقی دستگاه است. شمارههای «SM8975» و «101-BC» نیز در تصویر مشاهده میشوند و نشان میدهند این مدل از حافظه LPDDR5X پشتیبانی میکند.
خبر پیشنهادی: فرآیند ۱۴ نانومتری اینتل با سرعتی غیرمنتظره به تولید میرسد
فرایند خنکسازی
انتقال DRAM به کنار SoC و خنکسازی مستقیم آن با هیتسینک، فضای حرارتی بیشتری در اختیار تراشه اسنپدراگون 8 الیت نسل 6 قرار میدهد تا CPU و GPU بتوانند فرکانسهای بالاتر را برای مدت طولانیتری حفظ کنند. بنابراین، مزیت اصلی این طراحی میتواند افزایش عملکرد پایدار در استفادههای طولانیمدت باشد، نه فقط دستیابی به امتیازهای بالاتر در بنچمارکهایی که تنها چند دقیقه اجرا میشوند. از سوی دیگر، استفاده از معماری 2 نانومتری N2P شرکت TSMC نیز احتمالا به کاهش مصرف انرژی کلی تراشه کمک خواهد کرد؛ هرچند برای ارزیابی دقیق این ادعا باید تا انتشار نخستین نتایج واقعی بنچمارک تراشه منتظر ماند.
