سامسونگ کارت توسعه جدید CXL را با نام ماژول ترکیبی حافظه CXL برای حافظه طبقه‌بندی‌شده رونمایی کرد. این کارت از حافظه پرسرعت DRAM و فلش حافظه NAND برخوردار است.
به‌گزارش تکناک، سامسونگ کارت توسعه جدید رابط محاسباتی اکسپرس (CXL) را با نام ماژول ترکیبی حافظه CXL برای حافظه طبقه‌بندی‌شده (CMM-H) رونمایی کرده است. این کارت حافظه رم و حافظه فلش اضافی را در خود جای داده است که می‌توان از راه دور به‌واسطه پردازنده‌های مرکزی و شتاب‌دهنده‌ها به آنها دسترسی پیدا کرد.
کارت توسعه یادشده ترکیبی از حافظه پرسرعت DRAM و فلش حافظه NAND است و با هدف ارائه روشی به‌صرفه برای افزایش ظرفیت حافظه سرورها بدون استفاده از حافظه محلی DDR5 طراحی شده است که اغلب در سرورهای پرتقاضا، گزینه‌ای موجود نیست.
تامزهاردور می‌نویسد که راهکار سامسونگ بر رابطه CXL (Compute Express Link) متکی است که استاندارد صنعتی باز محسوب می‌شود. این رابطه پرسرعت اتصالی یکپارچه با قابلیت کش (Cache) را بین پردازنده‌ها و شتاب‌دهنده‌ها برقرار می‌کند و بدین‌ترتیب، به پردازنده‌ها اجازه می‌دهد تا از همان نواحی حافظه‌ای بهره ببرند که دستگاه‌های متصل ازطریق CXL استفاده می‌کنند.
حافظه ریموت یا در این نمونه حافظه ترکیبی رم و فلش، ازطریق باس PCIe دردسترس است که حدود ۱۷۰ تا ۲۵۰ نانوثانیه تأخیر دارد؛ تقریباً مشابه تأخیر ناشی از جهش NUMA (دسترسی غیر‌یکنواخت به حافظه اصلی). رابطه CXL در سال ۲۰۱۹ معرفی شد و اکنون در سومین بازنگری خود به‌سر می‌برد و از نسل ششم PCIe نیز پشتیبانی می‌کند.
استاندارد CXL از سه نوع دستگاه پشتیبانی می‌کند:
- دسته اول: شتاب‌دهنده‌هایی هستند که حافظه داخلی ندارند.
- دسته دوم: شتاب‌دهنده‌هایی با حافظه اختصاصی خودشان هستند (مانند پردازنده‌های گرافیکی و FPGAها و مدارهای مجتمع خاص با حافظه DDR یا HBM).
- دسته سوم: صرفا شامل دستگاه‌های حافظه می‌شود؛ ازجمله کارت حافظه جدید سامسونگ.
CMM-H TM شاخه‌ای از راه‌حل حافظه CXL مدل CMM-H سامسونگ به‌شمار می‌رود. سامسونگ اعلام کرده است که این محصول اولین راه‌حل حافظه طبقه‌بندی‌شده CXL مبتنی‌بر FPGA در جهان است و برای مقابله با مشکلات مدیریت حافظه، کاهش زمان خرابی، بهینه‌سازی زمان‌بندی برای حافظه طبقه‌بندی‌شده و به‌حداکثر‌رساندن عملکرد با کاهش درخورتوجه کل مالکیت طراحی شده است.
این CMM-H جدید به‌اندازه DRAM سریع نیست؛ ولی ظرفیت فراوانی را ازطریق فلش اضافه می‌کند. باوجوداین، تأخیر زیادی را به‌دلیل ویژگی هوشمند کش حافظه تعبیه‌شده در کارت توسعه پنهان می‌کند. داده‌های پرکاربرد برای بهبود سرعت به تراشه‌های DRAM کارت منتقل می‌شوند؛ در‌حالی‌که داده‌های کم‌کاربرد در حافظه فلش NAND ذخیره می‌شوند.
سامسونگ می‌گوید که این اتفاق به‌صورت خودکار رخ می‌دهد؛ اما برخی از برنامه‌ها و کارها می‌توانند ازطریق API به دستگاه برای بهبود عملکرد راهنمایی‌هایی ارائه دهند. بدیهی است که این کار مقداری تأخیر برای داده‌های کش‌شده ایجاد می‌کند که برای همه کاربردها ایدئال نیست؛ به‌خصوص آن‌هایی که به عملکرد حداکثری در ۹۹ درصد مواقع نیاز دارند.
کارت توسعه جدید سامسونگ به مشتریانش راه‌های جدیدی برای افزایش ظرفیت حافظه سرور ارائه می‌دهد. این الگوی طراحی جدید با‌توجه‌به افزایش تقاضای مدل‌های زبان بزرگ پیشرفته برای حافظه بیشتر از ماشین‌های میزبان و شتاب‌دهنده‌هایشان، اهمیت روزافزونی پیدا می‌کند.
