سامسونگ با بهروزرسانی نقشهی راه عرضهی تراشههای پیشرفتهی خود، لیتوگرافیهای ۱/۴ و ۲ و ۴ نانومتری خود را معرفی کرد.
بهگزارش تکناک، سامسونگ امروز در رویدادی که در Device Solutions America در سنخوزه کالیفرنیا برگزار شد، جدیدترین نوآوریهای ریختهگری خود را رونمایی و چشماندازش برای دوران هوش مصنوعی را تشریح کرد. این شرکت برای مشارکت در حوزهی هوش مصنوعی، روی لیتوگرافیهای آیندهی خود کار و طبق گزارشها، پیشرفتهایی نیز کرده است. این توسعه شامل سه لیتوگرافی جدید به نامهای SF1/4 و SF2Z و SF4U میشود.
گیزموچاینا مینویسد همانطورکه احتمالاً از نام این لیتوگرافیهای میتوانید حدس بزنید، اینها پیشرفتهترین لیتوگرافیهای 1/4 و ۲ و 4 نانومتری سامسونگ تابهامروز هستند. گفته میشود کرهایها این سه لیتوگرافی را در پلتفرم راهحلهای هوش مصنوعی خود ادغام خواهند کرد. دکتر سییونگ چوی، رئیس و سرپرست تجارت ریختهگری در شرکت سامسونگ الکترونیکز گفت:
سامسونگ علاوهبر لیتوگرافی GAA که برای شتابدهندههای هوش مصنوعی مناسب است، قصد دارد فناوری اپتیک بستهبندی مشترک (CPO) یکپارچه را برای پردازش داده با سرعت بیشتر و مصرف انرژی کمتر معرفی کند.
جدیدترین نسل لیتوگرافی 2 نانومتری سامسونگ (SF2Z) از فناوری بهینهسازی شبکهی انتقال برق پشت (BSPDN) بهره میبرد. طبق اعلام این شرکت، فرایند جدید با قراردادن ریلهای برق در پشت ویفر، گلوگاههای بین خطوط برق و سیگنال را از بین میبرد. با کمک فناوری BSPDN، لیتوگرافی SF2Z درمقایسهبا SE2 (اولین نسل لیتوگرافی 2 نانومتری) عملکرد بهبودیافتهای ارائه میدهد.
همچنین، SF2Z افت ولتاژ (افت IR) را کاهش درخورتوجهی میدهد که این امر باعث افزایش کارایی در طراحیهای محاسبات با کارایی بالا (HPC) میشود. سامسونگ اشاره کرده است که تولید انبوه لیتوگرافی SF2Z از سال 2027 آغاز خواهد شد.
سامسونگ درکنار معرفی لیتوگرافی 2 نانومتری، لیتوگرافی 4 نانومتری باارزش SF4U را نیز معرفی کرد. این فرایند با استفاده از «کوچکسازی نوری» بهبودهایی در مصرف انرژی و عملکرد و مساحت (PPA) تراشه ارائه میدهد. تولید انبوه این لیتوگرافی برای سال 2025 برنامهریزی شده است.
علاوهبراین، سامسونگ در حال توسعهی لیتوگرافی بسیار کوچکتر 1/4 نانومتری با نام SF1/4 است. غول فناوری کرهای اعلام کرده است که پیشرفتهای چشمگیری در توسعهی این لیتوگرافی کرده و تولید انبوه آن نیز برای سال 2027 در نظر گرفته شده است.