فهرست مطالب
شرکت سامسونگ موفق شده است نخستین ماژول مستقل DRAM جهان را با فناوری زیر ۱۰ نانومتر توسعه دهد.
به گزارش سرویس سختافزار تکناک، این دستاورد میتواند نقطه عطفی در مسیر پیشرفت حافظههای نیمههادی محسوب شود. در حالی که صنعت DRAM طی سالهای اخیر بر گرههای فناوری ۱۰ نانومتری (از جمله نسلهای 1x، 1y، 1a تا 1d) تکیه داشت، اکنون سامسونگ با معرفی فرایند جدید «10a» گامی فراتر گذاشته و وارد محدوده زیر ۱۰ نانومتر شده است. این فناوری با هدف افزایش چگالی ذخیرهسازی و بهرهگیری از مواد نوین توسعه یافته است.
مرتبط: کوالکام تولید تراشه پرچمدار بعدی خود را به سامسونگ می سپارد
بر اساس این گزارش، سامسونگ الکترونیکس توانسته است نخستین دای عملیاتی DRAM را در مقیاس نانومتری تکرقمی تولید کند و در ادامه، با تنظیم دقیق شرایط فرایند، به دنبال تثبیت و بهبود نرخ بازدهی تولید است. منابع آگاه اعلام کردهاند که این شرکت در جریان ارزیابی ویژگیهای دای، پس از تولید ویفر با فرایند 10a در ماه گذشته، عملکرد موفق یک دای را تایید کرده است؛ دستاوردی که با تکیه بر بهکارگیری ساختار سلولی مربعی 4F و فناوری ترانزیستور کانال عمودی (VCT) حاصل شده است. فناوری 10a به عنوان گامی کلیدی در تحول DRAM، امکان مقیاسپذیری را در محدوده ۹.۵ تا ۹.۷ نانومتر فراهم میکند و از این منظر، نخستین فرایند زیر ۱۰ نانومتر در صنعت حافظه به حساب میآید.
بیشتر بخوانید: هیولای ۵۱۲ هستهای اینتل دیرتر می رسد؛ تغییرات بزرگ در راه پردازندههای زئون
01
از 01زمان تولید انبوه ماژول DRAM زیر ۱۰ نانومتر سامسونگ
برنامهریزی سامسونگ نشان میدهد که توسعه DRAM مبتنی بر 10a تا پایان سال جاری تکمیل خواهد شد و ورود به فاز تولید انبوه برای سال ۲۰۲۸ هدفگذاری شده است. این معماری جدید در گام نخست در نسل 10a بهکار گرفته شده است و در نسلهای بعدی 10b و 10c با بهینهسازیهای بیشتر همراه خواهد شد. در ادامه مسیر، نسل 10d با گذار به معماری DRAM سهبعدی، افق زمانی عرضه را بین سالهای ۲۰۲۹ تا ۲۰۳۰ هدف گرفته است. در ساختارهای فعلی، DRAMها بر پایه آرایش 6F با فرم مستطیلی (3Fx2F) توسعه یافتهاند، اما مهاجرت به ساختار 4F با فرم مربعی (2Fx2F) امکان افزایش ۳۰ تا ۵۰ درصدی چگالی سلولی را در هر مدار مجتمع فراهم میکند؛ مزیتی که نهتنها ظرفیت ذخیرهسازی را افزایش میدهد، بلکه باعث بهبود بهرهوری انرژی نیز میشود.
حتما بخوانید: اعتصاب کارکنان سامسونگ می تواند کمبود حافظه DRAM را تشدید کند
همزمان، استفاده از مواد نیمههادی نوین نظیر اکسید ایندیوم-گالیوم-روی (IGZO) بهجای سیلیکون، نقش مهمی در کاهش نشتی جریان در سلولهای فشردهتر ایفا میکند و پایداری نگهداری دادهها را ارتقا میبخشد. در جبهه رقابتی، شرکتهایی مانند Micron، رویکرد محتاطانهای اتخاذ کردهاند و برنامههای مبتنی بر ساختار 4F را متوقف کردهاند تا به سمت DRAM سهبعدی حرکت کنند. در سوی دیگر، تولیدکنندگان چینی به دلیل محدودیت دسترسی به تجهیزات پیشرفته لیتوگرافی، با موانع جدی در توسعه DRAM سهبعدی مواجه هستند؛ هرچند شباهتهای بالقوه میان طراحی DRAM سهبعدی و NAND سهبعدی میتواند مسیر جایگزینی برای آنها فراهم کند. در همین حال، رقابت جهانی برای توسعه DRAM سهبعدی شتاب گرفته است، چرا که پاسخگویی به تقاضای فزاینده بازار هوش مصنوعی به چنین پیشرفتهایی وابسته است.
