ایسوس اسلات رم جدیدی به نام NitroPath را رونمایی کرده است که با کاهش تداخل الکتریکی از اسلاتهای رم خالی، سرعت رم را تا ۴۰۰ مگابایتبرثانیه افزایش میدهد.
بهگزارش تکناک، ایسوس با معرفی طراحی جدید اسلات رم خود با نام NitroPath قصد دارد عملکرد حافظههای رم را در مادربردهای پیشرفته خود بهبود ببخشد. این اسلاتهای جدید با کاهش تداخلات الکتریکی و افزایش سرعت تا ۴۰۰ مگاترنسفربرثانیه (MT/s) توجه بسیاری از علاقهمندان به سختافزار را به خود جلب کرده است. فناوری مذکور در برخی از مادربردهای ایسوس ازجمله X870E و Z890 بهکار رفته و با استفاده از آن کارایی رم ارتقای چشمگیری پیدا کرده است.
تامزهاردور مینویسد که تحلیل و بررسی Der8auer، یکی از چهرههای مطرح در حوزه اورکلاکینگ حرفهای، نشان داده است که طراحی جدید اسلاتهای رم کوتاه ایسوس میتواند سرعت رم را با کاهش تداخلات الکتریکی ناشی از اسلاتهای خالی بهبود ببخشد. این اورکلاکر معروف اخیراً با انتشار ویدئویی دقیق درباره این تکنولوژی، اثرهای مثبت اسلاتهای NitroPath روی پایداری رم در سرعتهای بسیار سریع را توضیح داده است.
یکی از نکات مهم در بررسیهای اخیر این است که اسلاتهای NitroPath در مادربردهای پرچمدار Z890 با دو اسلات رم، ازجمله مدل ROG Maximus Z890 Apex وجود ندارند که معمولاً برای اورکلاکینگ سنگین بهینهسازی میشوند. این موضوع در ابتدا انتخابی عجیب بهنظر میرسد؛ اما بررسیهای بیشتر نشان داده است که در مادربردهایی با تنها دو اسلات RAM، اضافهکردن اسلات NitroPath تأثیر خاصی نخواهد گذاشت.
اسلات رم NitroPath درمقایسهبا اسلاتهای معمولی، حدود ۴۰ درصد کوتاهتر طراحی شدهاند. کوتاهترشدن اسلاتها به کاهش تماسهای فلزی با پینهای DIMM منجر میشود و بهجای خمشدن بهسمت بالا، بهسمت پایین قرار میگیرند. این طراحی باعث کاهش نویز الکتریکی ناشی از فلزات موجود در مدار میشود؛ چراکه فلزات بدون پوشش میتوانند بهعنوان آنتن عمل و نویزهای مزاحمی ایجاد کنند. اسلاتهای خالی رم نیز از این پدیده مصون نیستند.
یکی از مشکلات بسیاری از مادربردهای دارای چهار اسلات رم این است که وقتی تنها دو اسلات با حافظه پر شده و دو اسلات دیگر خالی باشند، اسلاتهای خالی نویز الکتریکی تولید میکنند و بر عملکرد رمهای موجود تأثیر منفی میگذارند. بههمیندلیل، در برخی از سرورها از استیکهای رم خالی استفاده میشود تا اسلاتهای خالی بهطور ایمن بسته شوند و نویزهای مزاحم کاهش یابند.
تحلیلهای تصویری و نمودارهای سیگنال الکتریکی که در ویدئو Der8auer بهنمایش گذاشته شد، نشان داد که در سرعتهای متوسط، تفاوت زیادی بین اسلاتهای NitroPath و اسلاتهای استاندارد مشاهده نمیشود. بااینحال، در سرعتهای بیش از ۱۰ هزار MT/s، تفاوتها آشکار میشوند.
رمهایی که در اسلاتهای استاندارد قرار دارند، دچار افت کیفیت سیگنال و سیستم ناپایدار میشود؛ بهطوریکه ممکن است سیستم حتی بوت نشود. درمقابل، رمهای قرارگرفته در اسلاتهای NitroPath این مشکل را ندارند و حتی در سرعتهای بسیار زیاد نیز عملکرد پایداری از خود نشان میدهند.
این نوآوری جدید ایسوس، بهویژه برای کسانی کاربردی خواهد بود که بهدنبال بهرهگیری از حداکثر کارایی حافظه در سیستمهای اورکلاک شده هستند. با اینکه NitroPath در مادربردهایی با دو اسلات RAM چندان تأثیرگذار نیست، در مادربردهایی که از چهار اسلات RAM استفاده میکنند، نقش مؤثری در کاهش نویز و افزایش پایداری سیستم ایفا خواهد کرد.
