سامسونگ الکترونیک قصد دارد در سال ۲۰۲۵ با معرفی جدیدترین فناوریهایی که به پیشرفت بازار در آینده کمک میکند، وارد بخش جدید حافظه رم سهبعدی (3D DRAM) شود.
بهگزارش تکناک، در چندین فصل گذشته در صنعت DRAM آرامش نسبی حکمفرما بود. بهنظر میرسد شرکتها مشغول مبارزه با شرایط مالی سخت ناشی از موجودی فراوان انبار و تقاضای اندک مصرفکنندگان بودند.
wccftech مینویسد حالا که اوضاع بهتر شده است، تمرکز درنهایت به تحقیقوتوسعه نسل بعدی تغییر یافته است. در این زمینه، سامسونگ فناوری 3D DRAM اختصاصی خود را رونمایی کرده که انتظار میرود در سال آینده به مرحله اجرایی برسد.
طبق اسلاید بالا، صنعت DRAM در حال حرکت بهسمت خطوط تراشه زیر 10 نانومتر است. برای رهایی از بنبست موجود در نوآوری فناوریهای پیشرفته DRAM، سامسونگ قصد دارد دو روش جدید به نام «ترانزیستورهای کانال عمودی» و «DRAM رویهمچیدهشده» را معرفی کند. هر دو روش بر تغییر موقعیت اجزا تمرکز دارند که درنهایت به کاهش اشغال فضای دستگاه و درنتیجه عملکرد بهتر منجر میشود.
بههمینترتیب، برای افزایش ظرفیت حافظه سامسونگ قصد دارد از مفهوم DRAM رویهمچیدهشده استفاده کند. این روش به شرکت اجازه میدهد تا نسبت ذخیرهسازی به مساحت را افزایش و درنتیجه، ظرفیت تراشهها را بهطور بالقوه تا 100 گیگابایت در آینده ارتقا دهد.
با درنظرگرفتن این موضوعات، پیشبینی میشود که بازار 3D DRAM تا سال 2028 به 100 میلیارد دلار برسد. باتوجهبه این پیشرفتها، بهنظر میرسد سامسونگ در توسعه این فناوری پیشتاز است. این موضوع میتواند به رهبری غول کرهای در صنعت DRAM در آینده منجر شود؛ هرچند برای این نتیجهگیری هنوز زود است.
