فهرست مطالب
پیشبینی میشود ظرفیت حافظههای SSD تا سال ۲۰۲۹ افزایش چشمگیری یابد. کلید این افزایش، استفاده از حافظههای NAND با ظرفیت ۸ ترابایت است.
بهگزارش تکناک، با ظهور فناوری 3D NAND درحدود یک دهه پیش، ظرفیت حافظههای SSD بهسرعت در حال افزایش بوده و قیمت بهازای هر گیگابایت نیز بهطور پیوسته کاهش یافته است. بههمیندلیل، اکثر قریب به اتفاق کامپیوترهای شخصی از SSDها استفاده میکنند. IEEE معتقد است که این روند در سالهای آینده ادامه خواهد یافت و ظرفیت ذخیرهسازی SSDها را حداقل چهار برابر خواهد کرد.
01
از 05دلایل افزایش ظرفیت 3D NAND
تامزهاردور مینویسد که افزایش ظرفیت حافظههای 3D NAND نتیجه دو عامل اصلی است: ۱. افزایش تعداد لایههای فعال؛ ۲. افزایش چگالی بیت در هر سلول. با انتقال از سلولهای دوسطحی به سلولهای سهسطحی (TLC) و چهارسطحی (QLC)، توانایی ذخیرهسازی هر سلول بسیار افزایش یافته است. این دستاوردها نتیجهی تحقیقوتوسعهی گسترده در جهت کاهش هزینهی تولید بهازای هر ترابایت است.
02
از 05پیشبینیهای IEEE برای ظرفیت SSDها
در سال ۲۰۲۴، حافظههای NAND QLC دوترابایتی بهطور گسترده دردسترس هستند و امکان تولید برخی از بهترین SSDهای دوترابایتی بازار را فراهم میآورند. نقشهی راه IEEE پیشبینی میکند که تا سال ۲۰۲۷، دستگاههای 3D NAND با ظرفیت چهار ترابایت به بازار عرضه شوند و درنتیجه، ظرفیت SSDهای اصلی دو برابر شود.
همچنین، انتظار میرود که تا سال ۲۰۲۹، با مهاجرت صنعت به حافظههای NAND هشتترابایتی، ظرفیت SSDها به چهار برابر افزایش یابد. باتوجهبه این روند، میتوان پیشبینی کرد که ظرفیت SSDهای اصلی تا سال ۲۰۲۸ چهار برابر شود؛ هرچند این پیشبینی مبتنیبر برآوردهای موجود است.
03
از 05پیشبینیها برای تعداد لایههای فعال NAND
درحالحاضر، تعداد لایههای فعال در حافظههای NAND بین ۲۰۰ تا ۳۰۰ لایه متغیر است و به تولیدکننده بستگی دارد. بااینحال، مؤسسهی IEEE پیشبینی میکند که تا سال ۲۰۲۷، این تعداد به بیش از ۵۰۰ لایه برسد. علاوهبراین، برخی شرکتها مانند سامسونگ و اسکی هاینیکس پیشبینی میکنند که تا هزار لایه یا بیشتر نیز امکانپذیر خواهد بود. باتوجهبه پیچیدگیهای این فناوری، مؤسسهی IEEE از ارائهی پیشبینی دقیقتر برای این سطح از توسعه خودداری کرده است.
04
از 05نقشهی راه IEEE برای آینده SSDها
برخلاف پیشبینیهای مشخص دربارهی آیندهی هارد دیسکها، نقشهی راه جدید IEEE برای ذخیرهسازی دادههای حجیم، درخصوص جزئیات مربوط به افزایش تراکم ذخیرهسازی، بهویژه دربارهی تعداد لایههای فعال NAND و معماریهای مختلف حافظه NAND، ابهامهایی مطرح میکند. IEEE حتی از اصطلاح متداول QLC استفاده نکرده و آن را TLC+ نامیده است که احتمالاً بهمعنای امکانات فراتر از QLC (با چهار سطح شارژ) و حتی رسیدن به PLC (با پنج سطح شارژ) است.
05
از 05مشکلات پیش رو برای افزایش تراکم SSDها
برای ادامهی روند افزایش تراکم دای (DIE) و کاهش هزینهی تولید هر بیت حافظه، باید روی بهینهسازی چندین عامل تمرکز کرد. این عوامل شامل کاهش رشد تعداد لایهها، افزایش تراکم سلولهای حافظه در هر لایه، کاهش ابعاد سلولهای حافظه، افزایش تعداد بیتهای قابل ذخیرهسازی در هر سلول حافظه (از TLC به QLC و PLC) و حفظ نسبت ارتفاعی یکنواخت در ساختار حافظه است. حل این مشکلات طراحی و تولید برای حفظ بازدهی تولید مناسب و سودآوری این صنعت ضروری است.
