شرکت TSMC، بزرگترین سازنده تراشههای قراردادی جهان، به طور بیسر و صدا تولید انبوه تراشههای خود را با استفاده از فرآیند پیشرفته N2 (کلاس ۲ نانومتر) آغاز کرده است.
به گزارش سرویس سختافزار تکناک، در حالی که انتظار میرفت TSMC با یک بیانیه مطبوعاتی رسمی آغاز تولید انبوه تراشههای ۲ نانومتری خود را اعلام کند، این غول تایوانی با اشارهای مختصر در صفحه وب فناوری ۲ نانومتر خود، تأیید کرد که فرآیند N2 وارد تولید انبوه شده است: «فناوری ۲ نانومتر (N2) تیاسامسی طبق برنامه در سهماهه چهارم سال ۲۰۲۵ وارد تولید انبوه شده است.»
مهمترین ویژگی فرآیند N2، معرفی برای اولین بار ترانزیستورهای گیت-گیت-همه-جانبه (GAA) نانوشیت است. این معماری نوین، که در آن گیت به طور کامل کانال ترانزیستور را احاطه میکند، کنترل الکترواستاتیکی را به شکل چشمگیری بهبود میبخشد، نشت جریان را به حداقل میرساند و امکان ساخت ترانزیستورهای بسیار کوچکتر را بدون کاهش عملکرد یا افزایش مصرف انرژی فراهم میکند. نتیجه این نوآوری، افزایش ۱۵ درصدی در تراکم ترانزیستورها برای طراحیهای ترکیبی (منطق، آنالوگ و SRAM) و تا ۲۰ درصد برای طراحیهای فقط منطقی نسبت به گره N3E است.
مزایای کلیدی فرآیند N2 (نسبت به N3E):
- افزایش عملکرد: ۱۰ تا ۱۵ درصد بهبود در عملکرد در توان مصرفی یکسان.
- کاهش توان: ۲۵ تا ۳۰ درصد کاهش توان مصرفی در عملکرد یکسان.
- تراکم ترانزیستور: ۱۵ تا ۲۰ درصد افزایش.
علاوه بر این، N2 خازنهای فلز-عایق-فلز فوقالعاده با کارایی بالا (SHPMIM) را به شبکه تأمین توان خود اضافه کرده است که چگالی ظرفیت را بیش از دو برابر افزایش داده و پایداری توان و بهرهوری انرژی را بهبود میبخشد.
«سی.سی. وی»، مدیرعامل TSMC، پیشتر در تماس درآمدزایی شرکت در اکتبر، اظهار کرده بود: «N2 با بازدهی خوب، در حال حاضر برای تولید انبوه در اواخر این سهماهه به خوبی پیش میرود. ما انتظار داریم که در سال ۲۰۲۶، با کمک کاربردهای هوش مصنوعی در گوشیهای هوشمند و محاسبات با عملکرد بالا (HPC)، شاهد افزایش سریعتر تولید باشیم.»
این رشد سریع نه تنها نشاندهنده تقاضای بیسابقه برای تراشههای پیشرفته است، بلکه به وضوح تأکید میکند که TSMC قرار است تولید تراشههای کلاس ۲ نانومتر را برای هر دو بخش گوشیهای هوشمند و طراحیهای بزرگتر “هوش مصنوعی” و “HPC” (شامل پردازندههای سرور و کنسولهای بازی) افزایش دهد.
نکته جالب این است که TSMC تولید انبوه N2 را در کارخانه Fab 22 خود در کائوسیونگ تایوان آغاز کرده است، در حالی که پیشبینی میشد این فرآیند در Fab 20 (نزدیک هسینچو)، که مرکز توسعه فناوریهای N2 نیز هست، شروع شود. انتظار میرود Fab 20 کمی دیرتر وارد فاز تولید انبوه شود. این اقدام نشاندهنده علاقه شدید شرکای TSMC به این فناوری جدید و نیاز به ظرفیت تولید بالا از همان ابتدا است.
به نقل از تامزهاردور، TSMC برنامههای جاهطلبانهای برای آینده دارد. از اواخر سال ۲۰۲۶، هر دو کارخانه Fab 22 و Fab 20 به تولید تراشههای N2P (نسخهای با عملکرد بهبود یافته از N2) و A16 (نسخهای از N2P با سیستم تأمین توان پشتی Super Power Rail، طراحی شده برای پردازندههای پیچیده هوش مصنوعی و HPC) خواهند پرداخت. این محصولات نیز مزایای عملکرد و توان بیشتری نسبت به N2 ارائه خواهند داد.
با این گام بزرگ، TSMC نه تنها جایگاه خود را به عنوان رهبر بلامنازع صنعت نیمهرسانا تثبیت میکند، بلکه آیندهای با دستگاههای قدرتمندتر و کممصرفتر را برای مصرفکنندگان و صنایع مختلف رقم میزند.
