اینتل قصد دارد ظرفیت حافظه کش L2 در پردازنده های Arrow Lake را گسترش دهد. بر این اساس هستههای عملکردی شامل حافظه نهان L2 با ظرفیت 3 مگابایت خواهند بود.
به گزارش تکناک،یک منبع خبری که تمایل دارد اطلاعات دقیقی در مورد محصولات آینده اینتل ارائه دهد، می گوید این شرکت قصد دارد ظرفیت L2 پردازندههای با نام رمزی Arrow Lake را به 3 مگابایت برای هر هسته افزایش دهد. اگر این اطلاعات صحیح باشند، پردازندههای Arrow Lake عملکرد بهتری در برنامههایی که وابسته به پهنای باند حافظه هستند، ارائه خواهند داد.
پردازنده نسل 13 اینتل با نام ‘Raptor Lake’ شامل یک حافظه نهان L2 با ظرفیت 2 مگابایت برای هر هسته بالارده Raptor Cove و 512 کیلوبایت L2 برای هر هسته کممصرف Gracemont است، بنابراین به طور کلی 32 مگابایت حافظه نهان L2 و همچنین 36 مگابایت حافظه نهان L3 (3 مگابایت L3 برای هر هسته P و 3 مگابایت برای هر چهار هسته E) دارد.
با فرض اینکه پردازندههای Arrow Lake اینتل هشت هسته عملکردی را حفظ میکنند، ظرفیت کلی L2 برای هستههای عملکردی به 24 مگابایت افزایش مییابد. در عین حال، نامشخص است که آیا اینتل قصد دارد اندازه حافظه نهان L3 هستههای عملکردی Arrow Lake را نیز گسترش دهد یا خیر.
با در نظر داشتن اینکه پردازندههای Arrow Lake بر روی فرآیند ساخت 20A (کلاس 2 نانومتری) اینتل تولید خواهند شد، این شرکت ممکن است اندازه تمام کش ها را افزایش دهد زیرا ممکن است تأثیر قابل توجهی بر اندازه و هزینه قالب نداشته باشد. با این حال، تنها اینتل می داند که چه کاری برای افزایش عملکرد بدون تأثیر قابل توجهی بر هزینه ها انجام دهد.
افزایش ظرفیت حافظه نهان L2 برای هستههای با کارایی بالا به منظور افزایش عملکرد انجام میشود. یکی از مزایای اصلی افزایش اندازه حافظه نهان، بهبود hit rate است. اگر مجموعه کاری برای یک بارکاری داخل حافظه نهان L2 بزرگتر نسبت به قبل بهتر باشد ، این باعث کاهش نیاز به دسترسی به حافظه نهان L3 کندتر یا حافظه اصلی میشود. این باعث میشود زمان دسترسی متوسط به حافظه کاهش یابد و صرفهجویی در انرژی امکانپذیر شود.
در عوض، حافظه نهان L2 بزرگتر ممکن است باعث افزایش کمی تاخیر دسترسی شود. با در نظر داشتن اینکه پردازندههای اینتل در حال حاضر حافظه نهان L3 بزرگی دارند، افزایش اندازه حافظه نهان L2 منجر به کاهش بازده عملکرد میشود. علاوه بر این، حافظه نهان L2 بزرگتر ممکن است مصرف بیشتری از انرژی، تولید حرارت بیشتر و افزایش سطح تراشه را به همراه داشته باشد.
