بررسی دقیق و کالبدشکافی معماری 3D V-Cache شرکت AMD نشان میدهد که بخش عمدهای از پردازنده Ryzen 7 9800X3D از سیلیکون مصنوعی تشکیل شده است.
به گزارش تکناک، پردازنده Ryzen 7 9800X3D شرکت AMD که بیش از یک ماه پیش معرفی شد، بهسرعت به عنوان سریعترین پردازنده گیمینگ جهان شناخته شد. این پردازنده با بهرهگیری از فناوریهای جدید در طراحی ساختار خود توانسته است عملکرد برجستهای در بازار رقابتی گیمینگ از خود نشان دهد. درحالیکه پردازنده Ryzen 7 9800X3D با استقبال فراوانی روبهرو شده، کالبدشکافی دقیقتر طراحی آن، نکات جالبی را فاش کرده است.
تامزهاردور مینویسد که تام وسیک، تحلیلگر معروف نیمههادی، برای بررسی فلسفه طراحی پردازنده Ryzen 7 9800X3D، ساختار داخلی آن را کالبدشکافی کرده است. براساس گزارش او، بخش عمدهای از این پردازنده در حقیقت سیلیکون مصنوعی است که برای حفظ یکپارچگی ساختاری و استحکام بیشتر استفاده شده است.
اگرچه بخش زیادی از این پردازنده فقط برای حفظ ساختار فیزیکی و آسیبندیدن از سیلیکون مصنوعی تشکیل شده است، AMD توانسته با بهرهگیری از فناوری 3D V-Cache، عملکرد قدرتمندی از این چیپ استخراج و در رقابت با پردازندههای Arrow Lake شرکت اینتل پیروزی کسب کند.
پردازندههای Ryzen 9000 X3D بهویژه برای بهینهسازی عملکرد گیمینگ طراحی شدهاند. این پردازندهها بهگونهای طراحی شدهاند که حافظه SRAM در زیر CCD (واحد پردازش مرکزی) قرار گیرد. این ساختار به پردازنده امکان میدهد تا سرعت کلاک بیشتری را به دست آورد؛ چراکه فضای حرارتی بیشتری برای اجزای پردازنده فراهم میشود. هرچند AMD جزئیات دقیق روشهای ساخت این ساختار پیچیده را فاش نکرده است، گزارشها نشان میدهند که هر دو بخش CCD و V-Cache بهاندازهای نازک شدهاند که برای پیوند هیبریدی، TSVها (عمق تماس سطحی) نمایان شوند.
تحلیلهای دقیقتری از ساختار فیزیکی پردازنده نشان میدهند که هرچند SRAM بسیار کوچکتر از واحد پردازش اصلی (CCD) است، اندازه die SRAM درواقع ۵۰µm از هر چهار طرف بزرگتر از CCD است. با توجه به اینکه بخش زیادی از این فضای اضافی باید خالی باشد، هنوز جزئیات بیشتری از این ساختار در دسترس نیست.
در این گزارش، اشاره شده است که بهجز اتصالات، مجموع ضخامت SRAM و CCD کمتر از ۲۰µm است. برای محافظت از این اجزای شکننده و کوچک، AMD لایهای از سیلیکون مصنوعی در بالا و پایین این اجزا برای حفظ یکپارچگی ساختاری اضافه کرده است. در مجموع، ضخامت کلی بسته پردازنده تقریباً ۸۰۰µm است که پساز کسر لایههای ۵۰µm از CCD و SRAM، نزدیک به ۷۵۰µm آن به پشتیبانی ساختاری اختصاص دارد. بدینترتیب، ۹۳ درصد از کل ساختار پردازنده از سیلیکون مصنوعی تشکیل شده است که فقط برای حفظ سلامت و یکپارچگی اجزاء طراحی شده است.
یکی دیگر از نکات جالب در گزارش این است که لایههای مختلف این ساختار ازطریق پوششی از اکسید به یکدیگر متصل شدهاند. این پوشش پیوندی بهگونهای طراحی شده است که بین هستههای CCD و SRAM نازکتر از لایه پیوندی بین سیلیکون مصنوعی و دو دای (die) است تا عملکرد حرارتی بهتری را فراهم کند.
درحالحاضر، سؤالات زیادی درباره جزئیات این طراحی و نحوه عملکرد دقیق آن باقی مانده است. تام وسیک اعلام کرده است که قصد دارد این سؤالات را با استفاده از میکروسکوپ الکترونی اسکن در پیگیریهای آینده خود بررسی کند. با وجود ازدستدادن عنوان پادشاهی گیمینگ به AMD، شرکت اینتل هنوز برنامهای برای مقابله با فناوری 3D V-Cache شرکت AMD در بخش پردازندههای گیمینگ ندارد.
انتظار میرود که AMD در نمایشگاه CES ماه آینده پردازندههای جدید خود را مانند Ryzen 9 9900X3D با ۱۲ هسته و Ryzen 9 9950X3D رونمایی کند که به احتمال زیاد همچنان از فناوری 3D V-Cache بهره خواهند برد و به رقابت خود با پردازندههای اینتل ادامه خواهند داد.
