اینتل پساز دههها دوری از بازار DRAM، با معرفی فناوری حافظه Z-Angle در ژاپن، تمام معادلههای دنیای سختافزار را بر هم زد.
به گزارش سرویس سختافزار تکناک، اینتل در اقدامی غافلگیرکننده و پساز دههها دوری از بازار حافظههای DRAM، با همکاری Saimemory، یکی از شرکتهای زیرمجموعه سافتبنک، نمونه اولیه فناوری جدید حافظه Z-Angle یا ZAM خود را برای شکست انحصار حافظه با پهنای باند بالا (HBM) در رویداد Intel Connection Japan 2026 رونمایی کرد. ویژگی برجسته و اصلی راهحل ZAM، یکپارچهسازی توپولوژی اتصال متناوب (staggered interconnect topology) است.
برخلاف روشهای سنتی که اتصالات را بهصورت مستقیم در پشته دای (Die Stack) ایجاد میکنند، ZAM اتصالات را بهصورت مورب مسیریابی میکند. اینتل ادعا میکند که بزرگترین مزیت این رویکرد در قابلیتهای حرارتی ZAM نهفته است که به کاهش محدودیتهای عملکردی و حرارتی در راهحلهای موجود کمک شایانی خواهد کرد.
اگرچه نقش دقیق اینتل در پروژه ZAM هنوز بهطور کامل مشخص نشده است، تبلیغات بهاشتراکگذاشتهشده در این رویداد نشان میدهد که این شرکت مسئول سرمایهگذاری اولیه و تصمیمات استراتژیک خواهد بود.
در بحثهای اولیه، مزایای بالقوه حافظه Z-Angle اینتل در مقایسه با HBM عبارتاند از:
- ۴۰ تا ۵۰ درصد کاهش مصرف برق: این کاهش درخورتوجه میتواند به کارایی بیشتر و هزینههای عملیاتی کمتر برای مراکز داده و سیستمهای محاسباتی با کارایی بالا منجر شود.
- تولید سادهتر از طریق اتصالات Z-Angle: این ویژگی میتواند فرایند تولید را سریعتر و مقرونبهصرفهتر کند.
- ظرفیت ذخیرهسازی بیشتر در هر تراشه (تا ۵۱۲ گیگابایت): این قابلیت امکان طراحی سیستمهایی با چگالی حافظه بسیار بیشتر را فراهم میآورد.
Wccftech مینویسد که حرکت اینتل بهسمت بازار حافظه، بهخصوص با هدف رقابت با HBM، تغییر استراتژیک مهمی محسوب میشود. حضور مدیران ارشد اینتل در مراسم رونمایی حافظه Z-Angle، نشاندهنده تعهد جدی این شرکت به فناوری مذکور است که میتواند چشمانداز آینده صنعت حافظه را متحول کند.
انتظار میرود که حافظه ZAM بهعنوان راهحلی مهم برای نیازهای روزافزون به حافظههای با کارایی بالا در حوزههایی مانند هوش مصنوعی و یادگیری ماشین و محاسبات ابری مطرح شود.
