با شروع تولید انبوه حافظه HBM4 سامسونگ، قدرت پردازشی مراکز داده و سیستمهای هوش مصنوعی در سال ۲۰۲۶ وارد عصر جدیدی خواهد شد.
به گزارش سرویس سختافزار تکناک، سامسونگ الکترونیکس امروز رسماً از آغاز تولید انبوه و عرضه تجاری حافظه نسل بعدی HBM4 خود خبر داد. این دستاورد مهم سامسونگ را بهعنوان پیشگام در بازار HBM4 معرفی میکند و نویدبخش جهشی درخورتوجه در عملکرد سیستمهای هوش مصنوعی و مراکز داده آینده است.
حافظههای HBM4 که استاندارد نسل بعدی حافظه محسوب میشوند، قرار است نیروی محرکه تراشههای قدرتمند مراکز دادهای نظیر سری ورا روبین (Vera Rubin) انویدیا و اینستینکت MI450 (Instinct MI450) شرکت AMD باشند. این حافظههای جدید نهتنها بهبود چشمگیری در سرعت ارائه میدهند؛ بلکه پیشرفتهای شایانی در ظرفیت و بهرهوری انرژی و مدیریت حرارتی نیز به همراه دارند.
مشخصات و قابلیتهای مهمHBM4 سامسونگ عبارتاند از:
- سرعت پین: ۱۱/۷ تا ۱۳ گیگابیتبرثانیه که ۴۶ درصد سریعتر از استاندارد صنعتی HBM4 (۸ گیگابایتبرثانیه) و ۱/۲۲ برابر سریعتر از HBM3E است.
- پهنای باند: ۳/۳ ترابایتبرثانیه در هر پشته که ۲/۷ برابر افزایش را در مقایسه با HBM3E نشان میدهد.
- ظرفیت: ۲۴ تا ۳۶ گیگابایت در پشتههای ۱۲ لایه با برنامههای آتی برای پشتههای ۱۶ لایه تا ظرفیت ۴۸ گیگابایت
- ورودیوخروجی: ۲,۰۴۸ پین با دوبرابرشدن در مقایسه با نسل قبل
- بهرهوری انرژی: ۴۰ درصد بهبود در بهرهوری انرژی.
- مدیریت حرارتی: ۱۰ درصد مقاومت حرارتی بهتر و ۳۰ درصد دفع حرارت بهتر در مقایسه با HBM3E
- فناوری ساخت: استفاده از پیشرفتهترین فناوری فرایند DRAM کلاس ۱۰ نانومتری (1c) و فرایند منطقی ۴ نانومتری
سامسونگ اعلام کرده است که با بهرهگیری فعالانه از فناوریهای پیشرفته نسل ششم DRAM خود، از همان ابتدا به بازدهی پایدار و عملکرد پیشرو در صنعت دست یافته و بدون نیاز به هیچگونه بازطراحی اضافی، تولید انبوه را آغاز کرده است. این شرکت تأکید میکند HBM4 با کاهش گلوگاههای داده که با گسترش مدلهای هوش مصنوعی تشدید میشوند، معیاری جدید برای حداکثر کارایی و بهرهوری تعیین میکند.
برای مقابله با مشکلات مصرف انرژی و حرارت ناشی از دوبرابرشدن ورودیوخروجی داده، سامسونگ راهحلهای طراحی پیشرفته با مصرف انرژی اندک را در هسته دای (Die) ادغام کرده است. همچنین، با استفاده از فناوری گذرگاه سیلیسیومی با ولتاژ پایین (TSV) و بهینهسازی شبکه توزیع برق (PDN)، به بهبودهای چشمگیری در بهرهوری و مدیریت حرارت دست یافته است.
سامسونگ پیشبینی میکند که عرضه HBM4 به مشتریان کمک میکند تا به حداکثر توان عملیاتی GPU دست یابند و هزینه کلی مالکیت (TCO) خود را بهطور مؤثری مدیریت کنند که این امر برای محیطهای مراکز داده آینده حیاتی است.
این شرکت بر تعهد خود برای پیشبرد نقشه راه HBM با استفاده از منابع تولید جامع خود ازجمله یکی از ظرفیتهای بزرگ تولید DRAM و زیرساختهای اختصاصی در صنعت تأکید کرد. بهینهسازی مشترک طراحی و فناوری (DTCO) بین بخشهای ریختهگری (فاندری) و حافظه سامسونگ، بهترین استانداردهای کیفیت و بازدهی را تضمین میکند.
Wccftech مینویسد که سامسونگ قصد دارد دامنه همکاریهای فنی خود را با شرکای مهمی همچون تولیدکنندگان جهانی GPU و شرکتهای هایپراسکیلر متمرکز بر توسعه ASIC نسل بعدی گسترش دهد. این شرکت پیشبینی میکند که فروش HBM آن در سال ۲۰۲۶ در مقایسه با سال ۲۰۲۵ بیش از سه برابر شود و فعالانه درحال گسترش ظرفیت تولید HBM4 خود است.
پساز معرفی موفقیتآمیز HBM4، انتظار میرود نمونهبرداری برای HBM4E در نیمه دوم سال ۲۰۲۶ آغاز شود؛ درحالیکه نمونههای سفارشی HBM براساس مشخصات مرتبط با آن در سال ۲۰۲۷ به دست مشتریان خواهند رسید.
