سامسونگ رکورد لایه‌های فناوری V-NAND را جابه‌جا کرد

شرکت سامسونگ با دستیابی به نمونه اولیه ۹۰۰ لایه‌ای، به فناوری V-NAND هزار لایه‌ای خود نزدیک‌تر شده است.

به گزارش سرویس سخت افزار تک‌ناک، نمونه اولیه V-NAND سامسونگ با ۹۰۰ لایه‌، دو پشته سلولی ۴۵۰ لایه‌ای را در یک واحد ترکیب می‌کند و اکنون در یک قدمی ناند ۱۰۰۰ لایه‌ای قرار گرفته است.

محبوب ترین های سامسونگ

گوشی موبایل سامسونگ مدل Galaxy S25 Ultra دو سیم کارت ظرفیت 256 گیگابایت و رم 12 گیگابایت – پک ویتنام

286,000,000 تومان

286,000,000 تومان

مشاهده و خرید

3%

گوشی موبایل سامسونگ مدل Galaxy S25 FE دو سیم کارت ظرفیت 256 گیگابایت و رم 8 گیگابایت – ویتنام

129,775,200 تومان

126,299,000 تومان

مشاهده و خرید

گوشی موبایل سامسونگ مدل Galaxy A56 دو سیم کارت ظرفیت 256 گیگابایت و رم 12 گیگابایت – ویتنام

99,999,000 تومان

99,999,000 تومان

مشاهده و خرید

2%

گوشی موبایل سامسونگ مدل Galaxy A36 دو سیم کارت ظرفیت 256 گیگابایت و رم 8 گیگابایت – ویتنام

74,207,000 تومان

72,724,000 تومان

مشاهده و خرید

گوشی موبایل سامسونگ مدل Galaxy Z Fold 7 دو سیم‌کارت ظرفیت 256 گیگابایت و رم 12 گیگابایت – ویتنام

419,000,000 تومان

419,000,000 تومان

مشاهده و خرید

شرکت سامسونگ در حوزه نیمه‌رساناهای حافظه پیشرو است و فناوری V-NAND این شرکت یکی از بهترین‌های بازار محسوب می‌شود. این شرکت در سال ۲۰۲۴ برنامه‌ریزی کرد تا ناند ۱۰۰۰ لایه‌ای را با استفاده از مواد جدید فروالکتریک عرضه کند. طبق گزارش ETNews، سامسونگ به اولین فناوری V-NAND با ۹۰۰ لایه‌ با استفاده از تکنولوژی CMB یا همان اتصال چندسلولی دست یافته است، که به طور اساسی دو پشته سلولی ۴۵۰ لایه‌ای را در یک قطعه واحد جفت می‌کند. با بهره‌گیری از ۹۰۰ لایه V-NAND، سامسونگ قادر خواهد بود ظرفیت راهکارهای ذخیره‌سازی مانند SSDها را که در تمام بخش‌های دنیای پردازش از جمله سرورها، دسکتاپ‌ها، لپ‌تاپ‌ها و گوشی‌های هوشمند کاربرد دارند، به طور چشمگیری افزایش دهد.

مرتبط: اعتراض کارکنان سامسونگ به پاداش‌های نجومی

بر اساس اطلاعات منتشرشده از صنعت نیمه‌رسانا در تاریخ بیست و پنجم، سامسونگ الکترونیکس به تازگی یک سیستم یکپارچه V-NAND کلاس ۹۰۰ لایه‌ای را با استفاده از فناوری CMB پیاده‌سازی کرده است که دو ویفر سلولی ۴۵۰ لایه‌ای را به یکدیگر متصل می‌کند. برای دستیابی به این ناند ۹۰۰ لایه‌ای خیره‌کننده، سامسونگ با موانع متعددی روبه‌رو بود که تاب برداشتن ویفر یکی از نگرانی‌های اصلی محسوب می‌شد. این مشکل با معرفی طراحی Upper Chuck برطرف شده است. همچنین خطاهای ناهماهنگی از طریق استفاده از فناوری‌های تصحیح هم‌پوشانی رفع شده است.

مرتبط: سامسونگ به دنبال رونمایی از گوشی Galaxy Z Fold 8 Ultra

در حال حاضر اس‌کی هاینیکس در این رقابت پیشتاز است، چرا که اولین شرکتی بود که فناوری ناند ۳۲۱ لایه‌ای را توسعه داد و عرضه کرد. کار روی ناند ۴۰۰ لایه‌ای هم‌اکنون در جریان است که در سامسونگ از طریق اتصال عمودی و در اس‌کی هاینیکس از طریق اتصال هیبریدی محقق خواهد شد. هم‌زمان، شرکت چینی YMTC نیز در حال سرعت بخشیدن به برنامه‌های ناند خود است. این شرکت در حال حاضر قطعات ناند ۲۹۴ و ۲۳۲ لایه‌ای را عرضه می‌کند و در حال کاهش فاصله با شرکت‌های پیشرو نظیر سامسونگ، اس‌کی هاینیکس و میکرون است. همچنین YMTC سرمایه‌گذاری کلانی در کارخانه‌های جدید انجام داده است تا ظرفیت تولید ویفر خود را در زمانی دو برابر کند که بازارها به دلیل چرخه رشد هوش مصنوعی با شکاف عرضه و تقاضا مواجه هستند.

بر اساس گزارش Wccftech، رویکرد ناند پشته‌ای برای دستیابی به بیش از ۹۰۰ لایه هنوز در مرحله نمونه اولیه قرار دارد، اما مسیر را برای گسترش ظرفیت‌های ذخیره‌سازی در آینده هموار می‌کند. ناند ۱۰۰۰ لایه‌ای سامسونگ برای عرضه در سال ۲۰۳۰ هدف‌گذاری شده است و مدل‌های بیش از ۴۰۰ لایه نیز در سال‌های آینده روانه بازار خواهند شد.

مرتبط: بهترین گوشی های سامسونگ