سامسونگ برای حفظ رقابت در عصر هوش مصنوعی، فرایند تولید حافظههای نسل آینده 1d DRAM را با طراحی عمودی خازنها برای عرضه در اواخر سال ۲۰۲۷ برنامهریزی کرده است.
به گزارش سرویس سخت افزار تکناک، گزارشی از رسانههای کرهای نشان میدهد شرکت سامسونگ در حال آمادهسازی برای تولید نسل بعدی حافظه DRAM با فناوری ساخت 1d است. فناوری تولید 1d جدیدترین فناوری در صنعت حافظه به شمار میرود و معادل نود 1-delta شرکت مایکرون محسوب میشود.
بر اساس این گزارش، سامسونگ در حال مذاکره با شرکای تولیدی خود درباره برنامههای مربوط به تجهیزات مورد نیاز برای این نسل جدید از رم است تا بتواند تولید انبوه آن را احتمالا از اواخر سال ۲۰۲۷ آغاز کند.
به گفته منابع صنعتی که با ZDNet Korea گفتوگو کردهاند، سامسونگ همراه با شرکای خود در حال توسعه تجهیزات لازم برای آغاز تولید نسل بعدی DRAM است. جدیدترین تراشههای DRAM این شرکت در حال حاضر با فناوری ساخت 1c تولید میشوند؛ فناوریای که پیشرفتهترین روش فعلی برای ساخت این تراشهها در قالب طراحی افقی به شمار میرود. فناوری 1c به شکل گسترده به لیتوگرافی فرابنفش شدید یا EUV و گیتهای فلزی متکی است تا از تجربه سامسونگ در حوزه ساخت تراشههای منطقی بهره ببرد.
طبق گفته این منابع، سامسونگ قصد دارد تجهیزات تولید نسل بعدی تراشههای حافظه را از اوایل سهماهه دوم سال ۲۰۲۷ وارد کارخانههای خود کند. در صورتی که این شرکت بتواند برنامه زمانی فشرده خود را اجرا کند، این تجهیزات میتوانند از نیمه دوم سال ۲۰۲۷ تولید تراشههای پیشرفته را آغاز کنند.
به باور منابع صنعتی، تولید انبوه این تراشهها میتواند از اواخر سال ۲۰۲۷ شروع شود.
حافظههای 1d DRAM تغییر بنیادی نسبت به فناوریهای سنتی به شمار میروند، زیرا برای نخستین بار از چیدمان عمودی خازنها استفاده میکنند. این روش تفاوت اساسی با نسلهای قبلی دارد که در آنها سلولهای حافظه به صورت کنار هم و در یک صفحه قرار میگرفتند. پیچیدگی این فرایند زمانی بیشتر میشود که برای مدارهای جانبی از ویفری جداگانه استفاده شده و سپس با ویفر مربوط به مدارهای سلول حافظه یکپارچه میشود.
به نوشته Wccftech، با توجه به برنامه سامسونگ برای معرفی تجهیزات تولید 1d DRAM در نیمه اول سال آینده، انتظار میرود این تراشهها در نیمه دوم همان سال وارد تولید انبوه شوند. منابعی که با ZDNet گفتوگو کردهاند همچنین معتقدند سامسونگ باید برنامه نهایی تولید انبوه این حافظهها را تا پایان سال ۲۰۲۶ مشخص کند.
در دوران هوش مصنوعی، اهمیت حافظه در زنجیره تامین جهانی نیمهرساناها به شکل چشمگیری افزایش یافته است. تراشههای هوش مصنوعی به حافظههای پرسرعت با پهنای باند بالا یا HBM نیاز دارند که با قرار دادن چندین تراشه DRAM روی یکدیگر ساخته میشوند. حافظه 1c DRAM سامسونگ در نسل جدید حافظههای HBM4 استفاده شده است و منابع صنعتی باور دارند تراشههای 1d میتوانند در نسل بعدی حافظههای HBM5E نیز مورد استفاده قرار گیرند. سامسونگ ترجیح داده بود در تولید HBM از نسلهای قدیمیتر DRAM عبور کند و به جای آن حافظه 1c خود را با دایهای ویفر داخلی که با فناوری ساخت ۴ نانومتری تولید شدهاند ترکیب کند.
